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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Influence of penetrating V-pits on leakage current of GaN based p-i-n UV detector 期刊论文 acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 11, 页码: 7952-7957 Zhang S (Zhang Shuang); Zhao DG (Zhao De-Gang); Liu ZS (Liu Zong-Shun); Zhu JJ (Zhu Jian-Jun); Zhang SM (Zhang Shu-Ming); Wang YT (Wang Yu-Tian); Duan LH (Duan Li-Hong); Liu WB (Liu Wen-Bao); Jiang DS (Jiang De-Sheng); Yang H (Yang Hui) 收藏  |  浏览/下载：137/40  |  提交时间：2010/03/08 GaN   Realization of low threshold of InGaAs/InAlAs quantum cascade laser 期刊论文 chinese physics letters, 2003, 卷号: 20, 期号: 9, 页码: 1478-1481 作者:  Li CM 收藏  |  浏览/下载：68/0  |  提交时间：2010/08/12 Thermal annealing behaviour of Ni/Au on n-GaN Schottky contacts 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2002, 卷号: 35, 期号: 20, 页码: 2648-2651 作者:  Zhang SM;  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2010/08/12 RESISTANCE OHMIC CONTACTS  FIELD-EFFECT TRANSISTOR  SINGLE-CRYSTAL GAN  MICROWAVE PERFORMANCE  STABILITY  BARRIER  DIODES   Ge related defect energy and microcavity effect in GaN epitaxial layer 期刊论文 chinese physics letters, 1998, 卷号: 15, 期号: 9, 页码: 674-676 Zhao YG; Cheng L; Huang XL; Zhang GY; Li J; Yang ZJ 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/08/12 LIGHT-EMITTING-DIODES  YELLOW LUMINESCENCE  PHOTOLUMINESCENCE