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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Quantum mechanical simulation of electronic transport in nanostructured devices by efficient self-consistent pseudopotential calculation 期刊论文 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 5, 页码: article no.54503 作者:  Jiang XW 收藏  |  浏览/下载：50/2  |  提交时间：2011/07/05 FIELD-EFFECT TRANSISTORS  SEMICONDUCTOR-DEVICES  SILICON DEVICES  MONTE-CARLO  MOSFETS  NANOTRANSISTORS  APPROXIMATION  EQUATIONS  DESIGN  MODELS   Longitudinal spin transport in diluted magnetic semiconductor superlattices: The effect of the giant Zeeman splitting 期刊论文 physical review b, 2002, 卷号: 65, 期号: 15, 页码: art.no.155211 Chang K; Xia JB; Peeters FM 收藏  |  浏览/下载：100/1  |  提交时间：2010/08/12 ENVELOPE-FUNCTION APPROXIMATION  QUANTUM-WELLS  CONDUCTION ELECTRONS  BAND-STRUCTURE  SUPER-LATTICE  INJECTION  MAGNETORESISTANCE  HETEROSTRUCTURE  SCATTERING   Anomaly of the current self-oscillation frequency in the sequential tunneling of a doped GaAs/AlAs superlattice 期刊论文 physical review b, 2000, 卷号: 61, 期号: 11, 页码: 7261-7264 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：63/0  |  提交时间：2010/08/12 GAAS-ALAS SUPERLATTICES  ELECTRIC-FIELD DOMAINS  MULTIPLE QUANTUM-WELLS  SEMICONDUCTOR SUPERLATTICES  ROOM-TEMPERATURE  DIODES  MODEL  INSTABILITIES  TRANSPORT   ELECTRON-TRANSPORT THROUGH GAALAS BARRIERS IN GAAS 期刊论文 journal of applied physics, 1993, 卷号: 74, 期号: 1, 页码: 341-345 FENG SL; KRYNICKI J; ZAZOUI M; BOURGOIN JC; BOIS P; ROSENCHER E 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2010/11/15 RESONANT TUNNELING DIODES  CURRENT-VOLTAGE CHARACTERISTICS  QUANTUM-WELLS  ALGAAS GAAS  SUPERLATTICES  LAYERS