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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2000 [1]
1999 [1]
1998 [1]
学科主题
半导体物理 [3]
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学科主题:半导体物理
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Novel coupled multi-active region high power semiconductor lasers cascaded via tunnel junction
期刊论文
acta physica sinica, 2000, 卷号: 49, 期号: 12, 页码: 2374-2377
Lian P
;
Yin T
;
Gao G
;
Zou DS
;
Chen CH
;
Li JJ
;
Shen GD
;
Ma XY
;
Chen LH
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提交时间:2010/08/12
semiconductor lasers
high power
MOCVD
OPERATION
High-performance 980-nm quantum-well lasers using a hybrid material system of an Al-free InGaAs-InGaAsP active region and AlGaAs cladding layers grown by metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
ieee journal of quantum electronics, 1999, 卷号: 35, 期号: 10, 页码: 1535-1541
Yang GW
;
Hwu RJ
;
Xu ZT
;
Ma XY
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2010/08/12
quantum-well lasers
semiconductor diodes
semiconductor epitaxial layers
semiconductor lasers
semiconductor materials
NM DIODE-LASERS
WAVE-GUIDE
AMPLIFIER
FRONT-FACET POWER
Buried heterostructure InGaAsP/InP strain-compensated multiple quantum well laser with a native-oxidized InAlAs current blocking layer
期刊论文
applied physics letters, 1998, 卷号: 73, 期号: 26, 页码: 3803-3805
Wang ZJ
;
Chua SJ
;
Zhou F
;
Wang W
;
Wu RH
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2010/08/12
SURFACE-EMITTING LASERS
ULTRALOW THRESHOLD
OXIDE
INP
DIODES
OXIDATION
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