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科研机构
半导体研究所 [2]
内容类型
会议论文 [1]
期刊论文 [1]
发表日期
1999 [1]
1998 [1]
学科主题
半导体物理 [2]
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High-performance 980-nm quantum-well lasers using a hybrid material system of an Al-free InGaAs-InGaAsP active region and AlGaAs cladding layers grown by metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
ieee journal of quantum electronics, 1999, 卷号: 35, 期号: 10, 页码: 1535-1541
Yang GW
;
Hwu RJ
;
Xu ZT
;
Ma XY
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提交时间:2010/08/12
quantum-well lasers
semiconductor diodes
semiconductor epitaxial layers
semiconductor lasers
semiconductor materials
NM DIODE-LASERS
WAVE-GUIDE
AMPLIFIER
FRONT-FACET POWER
Growth and fabrication of high performance 980nm strained InGaAs quantum well lasers using novel hybrid material system of InGaAsP and AlGaAs
会议论文
semiconductor lasers iii, beijing, peoples r china, sep 16-18, 1998
Yang GW
;
Xu ZT
;
Xu JY
;
Ma XY
;
Zhang JM
;
Chen LH
收藏
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浏览/下载:9/0
  |  
提交时间:2010/10/29
strained quantum well
semiconductor lasers
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