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科研机构
半导体研究所 [6]
内容类型
期刊论文 [6]
发表日期
2009 [1]
2007 [1]
2002 [1]
2001 [1]
2000 [1]
1998 [1]
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学科主题
半导体物理 [6]
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学科主题:半导体物理
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Possible origin of ferromagnetism in undoped anatase TiO2
期刊论文
physical review b, 2009, 卷号: 79, 期号: 9, 页码: art. no. 092411
作者:
Li JB
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浏览/下载:72/34
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提交时间:2010/03/08
ab initio calculations
ferromagnetic materials
magnetic moments
magnetic semiconductors
titanium compounds
vacancies (crystal)
Thermally induced Fe atom transition from substitutional to interstitial sites in InP and its influence on material property
期刊论文
acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 9, 页码: 5536-5541
Zhao, YW (Zhao You-Wen)
;
Miao, SS (Miao Shan-Shan)
;
Dong, ZY (Dong Zhi-Yuan)
;
Lue, XH (Lue Xiao-Hong)
;
Deng, AH (Deng Ai-Hong)
;
Yang, J (Yang Jun)
;
Wang, B (Wang Bo)
收藏
  |  
浏览/下载:35/0
  |  
提交时间:2010/03/29
indium phosphide
Positron-annihilation study of compensation defects in InP
期刊论文
journal of applied physics, 2002, 卷号: 91, 期号: 4, 页码: 1998-2001
Shan YY
;
Deng AH
;
Ling CC
;
Fung S
;
Ling CD
;
Zhao YW
;
Sun TN
;
Sun NF
收藏
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浏览/下载:99/9
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提交时间:2010/08/12
UNDOPED SEMIINSULATING INP
INDIUM-PHOSPHIDE
LIFETIME
VACANCY
MECHANISMS
ACCEPTOR
GROWTH
GAAS
Residual donors and compensation in metalorganic chemical vapor deposition as-grown n-GaN
期刊论文
journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 12, 页码: 6130-6134
Xu XL
;
Liu HT
;
Shi CS
;
Zhao YW
;
Fung S
;
Beling CD
收藏
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浏览/下载:126/15
  |  
提交时间:2010/08/12
LIGHT-EMITTING DIODES
GALLIUM NITRIDE
YELLOW LUMINESCENCE
ELECTRON
PHOTOLUMINESCENCE
EPILAYERS
VACANCIES
INTERFACE
MECHANISM
ENERGY
Influence of dual incorporation of In and N on the luminescence of GaInNAs/GaAs single quantum wells
期刊论文
applied physics letters, 2000, 卷号: 77, 期号: 25, 页码: 4148-4150
作者:
Jiang DS
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAASN
Compensation ratio-dependent concentration of a VInH4 complex in n-type liquid encapsulated Czochralski InP
期刊论文
applied physics letters, 1998, 卷号: 73, 期号: 9, 页码: 1275-1277
Fung S
;
Zhao YW
;
Beling CD
;
Xu XL
;
Gong M
;
Sun NF
;
Sun TN
;
Chen XD
;
Zhang RG
;
Liu SL
;
Yang GY
;
Qian JJ
;
Sun MF
;
Liu XL
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2010/08/12
SEMICONDUCTORS
HYDROGEN
DEFECTS
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