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半导体研究所 [35]

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半导体物理 [35]

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限定条件	学科主题：半导体物理

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	Strain-induced high ferromagnetic transition temperature of MnAs epilayer grown on GaAs (110) 期刊论文 nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: article no.125 作者: Chen L 收藏 \| 浏览/下载：36/1 \| 提交时间：2011/07/05 MAGNETIC-PROPERTIES GAAS(001) FILMS ORDER NANOCLUSTERS EPITAXY
	First principles study of the electronic properties of twinned SiC nanowires 期刊论文 journal of nanoparticle research, 2011, 卷号: 13, 期号: 1, 页码: 185-191 作者: Li JB 收藏 \| 浏览/下载：100/6 \| 提交时间：2011/07/05 Twinned SiC nanowires Electronic properties Ab initio Modeling and simulation SILICON-CARBIDE NANOWIRES FIELD-EMISSION PROPERTIES MOLECULAR-BEAM EPITAXY INAS NANOWIRES GROWTH NANOTUBES NITRIDE DIFFUSION NANORODS ENERGY
	Study on Optical Properties of Type-II SnO2/ZnS Core/Shell Nanowires 期刊论文 journal of physical chemistry c, 2011, 卷号: 115, 期号: 15, 页码: 7225-7229 作者: Li JB 收藏 \| 浏览/下载：37/2 \| 提交时间：2011/07/05 COLLOIDAL NANOCRYSTAL HETEROSTRUCTURES PHOTOLUMINESCENCE PROPERTIES LATTICE DYNAMICS TIN OXIDE FILMS NANOSTRUCTURES SPECTRA EXCITON ARRAYS RUTILE
	Fabrication of ferromagnetic GaMnSb by thermal diffusion of evaporated Mn 期刊论文 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 316, 期号: 1, 页码: 145-148 Yang GD; Zhu F; Dong S 收藏 \| 浏览/下载：67/2 \| 提交时间：2011/07/05 Diffusion Physical vapor deposition processes Magnetic materials Semiconducting III-V materials GASB/MN DIGITAL ALLOYS ROOM-TEMPERATURE FERROMAGNETISM RAMAN-SCATTERING MAGNETOTRANSPORT PROPERTIES EPITAXIAL LAYERS THIN-FILMS SEMICONDUCTORS STRAIN MAGNETOELECTRONICS SPINTRONICS
	Distribution of dislocations in GaSb and InSb epilayers grown on GaAs (001) vicinal substrates 期刊论文 journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 9, 页码: art. no. 094903 Li MC; Qiu YX; Liu GJ; Wang YT; Zhang BS; Zhao LC 收藏 \| 浏览/下载：31/0 \| 提交时间：2010/03/08 X-RAY-DIFFRACTION MOLECULAR-BEAM-EPITAXY FILMS MISFIT
	Electrically Pumped Room-Temperature Pulsed InGaAsP-Si Hybrid Lasers Based on Metal Bonding 期刊论文 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: art. no. 064211 作者: Wang Y; Pan JQ 收藏 \| 浏览/下载：113/0 \| 提交时间：2010/03/08 CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION WAVE-GUIDE CIRCUIT DOUBLE HETEROSTRUCTURES SILICON SUBSTRATE CW OPERATION WAFER DEVICES FILMS
	Properties of AlyGa1-yN/AlxGa1-xN/AlN/GaN Double-Barrier High Electron Mobility Transistor Structure 期刊论文 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: art. no. 017301 Guo LC; Wang XL; Xiao HL; Ran JX; Wang CM; Ma ZY; Luo WJ; Wang ZG 收藏 \| 浏览/下载：193/43 \| 提交时间：2010/03/08 CONTENT ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURES CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION FIELD-EFFECT TRANSISTORS AL-CONTENT ALGAN/ALN/GAN HETEROSTRUCTURES HEMT STRUCTURES PHASE EPITAXY SAPPHIRE GAS DENSITIES
	Molecular Beam Epitaxy of GaSb on GaAs Substrates with AlSb Buffer Layers 期刊论文 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: art. no. 018101 作者: Xu YQ; Tang B 收藏 \| 浏览/下载：221/40 \| 提交时间：2010/03/08 SURFACE-MORPHOLOGY GROWTH SUPERLATTICES HETEROSTRUCTURES TEMPERATURE DETECTORS GAAS(100) FILMS INAS INSB
	Room Temperature Ferromagnetism of Mn Implanted AlInN 期刊论文 japanese journal of applied physics, 2009, 卷号: 48, 期号: 4, 页码: art. no. 040202 Majid A; Sharif R; Ali A; Zhu JJ 收藏 \| 浏览/下载：249/25 \| 提交时间：2010/03/08 MAGNETIC-PROPERTIES SEMICONDUCTORS GAN CR ALLOYS GROWTH FILMS
	Effect on nitrogen acceptor as Mg is alloyed into ZnO 期刊论文 applied physics letters, 2008, 卷号: 92, 期号: 6, 页码: art. no. 062110 Gai, YQ; Yao, B; Wei, ZP; Li, YF; Lu, YM; Shen, DZ; Zhang, JY; Zhao, DX; Fan, XW; Li, JB; Xia, JB 收藏 \| 浏览/下载：61/0 \| 提交时间：2010/03/08 P-TYPE ZNO II-VI BAND-GAP SEMICONDUCTORS FILMS MGXZN1-XO EPITAXY

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