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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Gap states of hydrogenated amorphous silicon near and above the threshold of microcrystallinity with subtle boron compensation 期刊论文 applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 17, 页码: 2509-2511 Sheng SR; Liao XB; Kong GL 收藏  |  浏览/下载：104/17  |  提交时间：2010/08/12 CONSTANT PHOTOCURRENT METHOD  A-SI-H  ABSORPTION  FILMS  SPECTROSCOPY  DEPOSITION  STABILITY  DILUTION   Annealing-induced evolution of defects in low-temperature-grown GaAs-related materials 期刊论文 physical review b, 2001, 卷号: 63, 期号: 11, 页码: art.no.115324 Zhang MH; Guo LW; Li HW; Li W; Huang Q; Bao CL; Zhou JM; Liu BL; Xu ZY; Zhang YH; Lu LW 收藏  |  浏览/下载：96/7  |  提交时间：2010/08/12 BEAM-EPITAXIAL GAAS  SPATIAL LIGHT MODULATORS  MULTIPLE-QUANTUM WELLS   Intrasubband and intersubband transitions in lightly and heavily doped GaAs/AlGa1-xAs multiple quantum wells 期刊论文 physical review b, 1998, 卷号: 57, 期号: 19, 页码: 12388-12396 Zhu QS; Wang XB; Zhong ZT; Zhou XC; He YP; Cao ZP; Zhang GZ; Xiao J; Sun XH; Yang HZ; Du QG 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/08/12 LEVEL TRANSIENT SPECTROSCOPY  SUB-BAND ABSORPTION  INFRARED PHOTODETECTORS  GAAS  HETEROSTRUCTURES  ELECTRONS