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半导体研究所 [20]
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半导体物理 [20]
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学科主题:半导体物理
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Flexible and free-standing ternary Cd2GeO4 nanowire/graphene oxide/CNT nanocomposite film with improved lithium-ion battery performance
期刊论文
nanotechnology, 2016, 卷号: 27, 期号: 9, 页码: 095602
Linlin Wang
;
Xiaozhu Zhang
;
Guozhen Shen
;
Xia Peng
;
Min Zhang
;
Jingli Xu
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2017/03/16
Ternary oxide nanostructured materials for supercapacitors: a review
期刊论文
journal of materials chemistry a, 2015, 卷号: 3, 期号: 19, 页码: 10158-10173
Di Chen
;
Qiufan Wang
;
Rongming Wang
;
Guozhen Shen
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2016/03/29
Influence of indium cluster on the high and constant background electron density in ternary InxGa1-xN alloys
期刊论文
li c (li, chong); wu fm (wu, fengmin); li ss (li, shu-shen); xia jb (xia, jian-bai); li jb (li, jingbo), 2012, 卷号: 101, 期号: 6, 页码: 062102
Li C (Li, Chong)
;
Wu FM (Wu, Fengmin)
;
Li SS (Li, Shu-Shen)
;
Xia JB (Xia, Jian-Bai)
;
Li JB (Li, Jingbo)
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2013/04/02
Strain relaxation and band-gap tunability in ternary InxGa1-xN nanowires
期刊论文
physical review b, 2008, 卷号: 78, 期号: 19, 页码: art. no. 193301
作者:
Li JB
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浏览/下载:209/43
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提交时间:2010/03/08
density functional theory
energy gap
enthalpy
gallium compounds
ground states
III-V semiconductors
indium compounds
Monte Carlo methods
nanowires
semiconductor quantum wires
wide band gap semiconductors
Elasticity, band structure, and piezoelectricity of BexZn1-xO alloys
期刊论文
physics letters a, 2008, 卷号: 372, 期号: 16, 页码: 2930-2933
Duan, YF
;
Shi, HL
;
Qin, LX
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浏览/下载:79/0
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提交时间:2010/03/08
first-principles
bowing coefficients
piezoelectricity
alloys
elasticity
semiconductor
Elasticity, band-gap bowing, and polarization of AlxGa1-xN alloys
期刊论文
journal of applied physics, 2008, 卷号: 103, 期号: 2, 页码: art. no. 023705
Duan, YF
;
Li, JB
;
Li, SS
;
Xia, JB
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浏览/下载:98/17
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提交时间:2010/03/08
STRAINED WURTZITE SEMICONDUCTORS
FUNCTIONAL PERTURBATION-THEORY
QUANTUM-WELLS
1ST-PRINCIPLES CALCULATIONS
OPTICAL BOWINGS
NITRIDE
CONSTANTS
OFFSETS
FIELDS
DIODES
Mutual passivation of donors and isovalent nitrogen in GaAs
期刊论文
physical review letters, 2006, 卷号: 96, 期号: 3, 页码: art.no.035505
Li J
;
Carrier P
;
Wei SH
;
Li SS
;
Xia JB
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浏览/下载:71/0
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提交时间:2010/04/11
DILUTED GANXAS1-X ALLOYS
GROUP-IV DONORS
SEMICONDUCTOR ALLOYS
OPTICAL-PROPERTIES
BAND
GAN(X)AS1-X
IMPURITIES
HYDROGEN
Exciton Localization and Delocalization in GaNAs/GaAs Quantum Wells
期刊论文
发光学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 109-113
Luo X D
;
Xu Z Y
;
Ge W K
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2010/11/23
Thermal redistribution of localized excitons and its effect on the luminescence band in InGaN ternary alloys
期刊论文
applied physics letters, 2001, 卷号: 79, 期号: 12, 页码: 1810-1812
Li Q
;
Xu SJ
;
Cheng WC
;
Xie MH
;
Tong SY
;
Che CM
;
Yang H
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浏览/下载:79/7
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提交时间:2010/08/12
QUANTUM DOTS
TEMPERATURE
PHOTOLUMINESCENCE
ACTIVATION
DIODES
Structural and photoluminescence properties of In-0.9(Ga/Al)(0.1)As self-assembled quantum dots on InP substrate
期刊论文
journal of applied physics, 2000, 卷号: 88, 期号: 1, 页码: 533-536
作者:
Ye XL
;
Xu B
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
INAS ISLANDS
INP(001)
GROWTH
GAAS
SEMICONDUCTORS
THICKNESS
LASERS
INGAAS
SIZE
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