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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Interlayer segregation in magnetic multilayers and its influence on exchange coupling 期刊论文 applied physics letters, 2003, 卷号: 82, 期号: 1, 页码: 94-96 Yu GH; Li MH; Zhu FW; Jiang HW; Lai WY; Chai CL 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/08/12 SPIN VALVES  GIANT MAGNETORESISTANCE  UNIDIRECTIONAL ANISOTROPY  FILMS  BILAYERS  LAYERS  BIAS  INTERFACES  BEHAVIOR  MODEL   Stress and its effect on optical properties of GaN epilayers grown on Si(111), 6H-SiC(0001), and c-plane sapphire 期刊论文 applied physics letters, 2003, 卷号: 83, 期号: 4, 页码: 677-679 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：1038/2  |  提交时间：2010/08/12 VAPOR-PHASE EPITAXY  PHONON DEFORMATION POTENTIALS  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  RAMAN-SCATTERING  ALPHA-GAN  ALN  LAYERS  STRAIN  WURTZITE  FILMS   Surface roughness and high density of cubic twins and hexagonal inclusions in cubic GaN epilayers 期刊论文 science in china series a-mathematics physics astronomy, 2001, 卷号: 44, 期号: 6, 页码: 796-800 Qu B; Li SF; Hu GX; Zheng XH; Wang YT; Lin SM; Yang H; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：88/3  |  提交时间：2010/08/12 GaN  polarity  surface roughness  FILMS  STABILITY  GROWTH   Gap states of hydrogenated amorphous silicon near and above the threshold of microcrystallinity with subtle boron compensation 期刊论文 applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 17, 页码: 2509-2511 Sheng SR; Liao XB; Kong GL 收藏  |  浏览/下载：103/17  |  提交时间：2010/08/12 CONSTANT PHOTOCURRENT METHOD  A-SI-H  ABSORPTION  FILMS  SPECTROSCOPY  DEPOSITION  STABILITY  DILUTION   Raman scattering and photoluminescence of ZnSxTe1-x mixed crystals 期刊论文 journal of physics-condensed matter, 1998, 卷号: 10, 期号: 18, 页码: 4119-4129 Liu NZ; Li GH; Zhu ZM; Han HX; Wang ZP; Ge WK; Sou IK 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2010/08/12 VAPOR-PHASE EPITAXY  ZNS-TE  ALLOYS  LUMINESCENCE  EXCITONS  SPECTRA  FILMS  GAAS