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半导体研究所 [6]
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期刊论文 [6]
发表日期
2011 [1]
2008 [1]
2005 [1]
2001 [1]
1999 [1]
1993 [1]
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学科主题
半导体物理 [6]
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学科主题:半导体物理
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Quantum mechanical simulation of electronic transport in nanostructured devices by efficient self-consistent pseudopotential calculation
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 5, 页码: article no.54503
作者:
Jiang XW
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浏览/下载:50/2
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提交时间:2011/07/05
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
SEMICONDUCTOR-DEVICES
SILICON DEVICES
MONTE-CARLO
MOSFETS
NANOTRANSISTORS
APPROXIMATION
EQUATIONS
DESIGN
MODELS
Multiple valley couplings in nanometer Si metal-oxide-semiconductor field-effect transistors
期刊论文
journal of applied physics, 2008, 卷号: 103, 期号: 12, 页码: art. no. 124507
Deng, HX
;
Jiang, XW
;
Luo, JW
;
Li, SS
;
Xia, JB
;
Wang, LW
收藏
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浏览/下载:65/5
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提交时间:2010/03/08
SIMULATION
MOSFETS
SUPERLATTICES
REGIME
LIMIT
Transverse magnetic field effect on the current hysteresis of doped GaAs/AlAs superlattice
期刊论文
semiconductor science and technology, 2005, 卷号: 20, 期号: 9, 页码: 947-951
Sun, BQ
;
Wang, JN
;
Jiang, DS
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浏览/下载:80/21
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提交时间:2010/03/17
CURRENT SELF-OSCILLATION
Electrical manifestation of the quantum-confined Stark effect by quantum capacitance response in an optically excited quantum well
期刊论文
physical review b, 2001, 卷号: 63, 期号: 11, 页码: art.no.113305
作者:
Tan PH
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浏览/下载:83/1
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提交时间:2010/08/12
RESONANT-TUNNELING DIODES
SPACER LAYERS
SPECTROSCOPY
DOTS
HETEROSTRUCTURES
Negative differential resistance and the transition to current self-oscillation in GaAs/AlAs superlattices
期刊论文
solid state communications, 1999, 卷号: 112, 期号: 7, 页码: 371-374
Wang JN
;
Sun BQ
;
Wang XR
;
Wang HL
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浏览/下载:97/0
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提交时间:2010/08/12
semiconductors
tunneling
ELECTRIC-FIELD DOMAINS
DOPED SEMICONDUCTOR SUPERLATTICES
MODEL
INSTABILITIES
DIODES
GAAS-ALAS SUPERLATTICES
SELF-CONSISTENT TREATMENT OF 3-DIMENSIONAL - 2-DIMENSIONAL AND 2-DIMENSIONAL - 2-DIMENSIONAL RESONANT-TUNNELING IN DOUBLE-BARRIER STRUCTURES
期刊论文
physical review b, 1993, 卷号: 48, 期号: 7, 页码: 4575-4585
ZHU BF
;
HUANG K
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2010/11/15
SPACE-CHARGE BUILDUP
INTRINSIC BISTABILITY
DEVICES
DIODES
HETEROSTRUCTURES
ACCUMULATION
MODEL
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