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半导体研究所 [20]
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半导体物理 [20]
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学科主题:半导体物理
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Origin of the blueshift in the infrared absorbance of intersubband transitions in AlxGa1-x/GaN multiple quantum wells
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2005, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 575-581
Li JM
;
Han X
;
Wu JJ
;
Liu XL
;
Zhu QS
;
Wang ZG
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提交时间:2010/03/17
quantum wells
Photoluminescence of large-sized InAs/GaAs quantum dots under hydrostatic pressure
期刊论文
journal of infrared and millimeter waves, 2005, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 207-212
Ma BS
;
Wang XD
;
Luo JW
;
Su FH
;
Fang ZL
;
Ding K
;
Niu ZC
;
Li GH
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浏览/下载:41/17
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提交时间:2010/03/17
condensed matter physics
Effective-mass theory for hierarchical self-assembly of GaAs/AlxGa1-xAs quantum dots
期刊论文
physical review b, 2005, 卷号: 71, 期号: 15, 页码: art.no.155301
Li SS
;
Chang K
;
Xia JB
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浏览/下载:40/12
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提交时间:2010/03/17
Effect of the InAlAs and InGaAs combination strain-reducing layer on 1.3 mu m emission self-assembled InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2004, 卷号: 37, 期号: 7, 页码: 1012-1016
Fang, ZD
;
Gong, Z
;
Miao, ZH
;
Kong, LM
;
Xu, XH
;
Ni, HQ
;
Niu, ZC
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浏览/下载:149/47
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提交时间:2010/03/09
PHOTOLUMINESCENCE
Photoluminescence from self-assembled long-wavelength InAs/GaAs quantum dots under pressure
期刊论文
journal of applied physics, 2004, 卷号: 95, 期号: 3, 页码: 933-938
Ma, BS
;
Wang, XD
;
Su, FH
;
Fang, ZL
;
Ding, K
;
Niu, ZC
;
Li, GH
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浏览/下载:54/24
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提交时间:2010/03/09
GAMMA-X CROSSOVER
Photoluminescence of self-assembled InAs/GaAs quantum dots covered by InAlAs and InGaAs combination strain-reducing layer
期刊论文
chinese physics letters, 2003, 卷号: 20, 期号: 11, 页码: 2061-2063
Fang ZD
;
Gong Z
;
Miao ZH
;
Xu XH
;
Ni HQ
;
Niu ZC
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提交时间:2010/08/12
1.3 MU-M
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
TEMPERATURE-DEPENDENCE
LASING CHARACTERISTICS
LASERS
WAVELENGTH
SEPARATION
LINEWIDTH
PROPERTY
GAIN
Role of different cap layers tuning the wavelength of self-assembled InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
journal of physics-condensed matter, 2003, 卷号: 15, 期号: 31, 页码: 5383-5388
Gong Z
;
Fang ZD
;
Xu XH
;
Miao ZH
;
Niu ZC
;
Feng SL
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浏览/下载:231/7
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提交时间:2010/08/12
1.35 MU-M
ISLANDS
PHOTOLUMINESCENCE
Size evolution and optical properties of self-assembled InAs quantum dots on different matrix
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2003, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: 292-297
作者:
Xu B
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浏览/下载:57/0
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提交时间:2010/08/12
self-assembled
MBE
quantum dots
photoluminescence
1.3 MU-M
TEMPERATURE-DEPENDENCE
EXCITED-STATES
INXGA1-XAS
LASERS
INP
Abnormal temperature dependence of photoluminescence from self-assembled InAs quantum dots covered by an InAlAs/InGaAs combination layer
期刊论文
solid state communications, 2003, 卷号: 126, 期号: 7, 页码: 391-394
作者:
Jin P
;
Ye XL
;
Li CM
;
Xu B
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2010/08/12
nanostructures
semiconductors
optical properties
EPITAXY
Luminescence properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots covered by InAlAs and InGaAs combination strain-reducing layer
期刊论文
physics of low-dimensional structures, 2003, 期号: 1-2, 页码: 27-33
Fang, ZD
;
Gong, Z
;
Miao, ZH
;
Xu, XH
;
Ni, HQ
;
Niu, ZC
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浏览/下载:47/14
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提交时间:2010/03/09
TEMPERATURE-DEPENDENCE
PHOTOLUMINESCENCE
SEPARATION
WAVELENGTH
LASERS
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