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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Raman study of ultrathin Fe(3)O(4) films on GaAs(001) substrate: stoichiometry, epitaxial orientation and strain 期刊论文 journal of raman spectroscopy, 2011, 卷号: 42, 期号: 6, 页码: 1388-1391 Zhang, J; Tan, PH; Zhao, WJ; Lu, J; Zhao, JH 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2012/01/06 Raman spectroscopy  ultrathin Fe(3)O(4) film  crystal orientation  strain  phonon strain-shift coefficient  PULSED-LASER DEPOSITION  THIN-FILMS  SPIN-TRANSPORT  MAGNETITE  SEMICONDUCTORS  SPINTRONICS  SCATTERING  CORROSION  DEVICES  GROWTH   Photoluminescence energy and fine structure splitting in single quantum dots by uniaxial stress 期刊论文 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 3, 页码: 1120-1123 Dou, XM; Sun, BQ; Wang, BR; Ma, SS; Zhou, R; Huang, SS; Ni, HQ; Niu, ZC 收藏  |  浏览/下载：50/2  |  提交时间：2010/03/08 EXCHANGE INTERACTION  GAAS  PRESSURE  DEPENDENCE  AMPLIFIERS  ELECTRON  EMISSION  EXCITONS  PHOTONS  SPECTRA   Modification of emission wavelength of self-assembled In(Ga)As/GaAs quantum dots covered by InxGa1-xAs(0 <= x <= 0.3) layer 会议论文 11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000 Niu ZC; Wang XD; Miao ZH; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/15 crystal morphology  quantum dots  molecular beam epitaxy  semiconducting gallium arsenide  semiconducting indium gallium arsenide  1.35 MU-M  GAAS-SURFACES  PHOTOLUMINESCENCE  ISLANDS   SHEAR-DEFORMATION-POTENTIAL CONSTANT OF THE CONDUCTION-BAND MINIMA OF SI - EXPERIMENTAL-DETERMINATION BY THE DEEP-LEVEL CAPACITANCE TRANSIENT METHOD 期刊论文 physical review b, 1991, 卷号: 43, 期号: 17, 页码: 14040-14046 LI MF; ZHAO XS; GU ZQ; CHEN JX; LI YJ; WANG JQ 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/15 SILICON  SEMICONDUCTORS  CAPTURE  CENTERS  ELECTRONS  EMISSION