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科研机构
半导体研究所 [7]
内容类型
期刊论文 [7]
发表日期
2014 [2]
2012 [1]
2006 [1]
2003 [1]
2002 [1]
1998 [1]
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学科主题
半导体物理 [7]
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学科主题:半导体物理
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Quantitative determination of the Mn site distribution in ultrathin Ga0.80Mn0.20As layers with high critical temperatures: A Rutherford backscattering channeling investigation
期刊论文
physical review b, 2014, 卷号: 89, 期号: 11, 页码: 115323
Benzeggouta, D
;
Khazen, K
;
Vickridge, I
;
von Bardeleben, HJ
;
Chen, L
;
Yu, XZ
;
Zhao, JH
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2015/04/02
Quantitative determination of the Mn site distribution in ultrathin Ga0.80Mn0.20As layers with high critical temperatures: A Rutherford backscattering channeling investigation
期刊论文
physical review b, 2014, 卷号: 89, 期号: 11, 页码: 115323
Benzeggouta, D
;
Khazen, K
;
Vickridge, I
;
von Bardeleben, HJ
;
Chen, L
;
Yu, XZ
;
Zhao, JH
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2015/05/11
Depth profile of the tetragonal distortion in thick GaMnAs layers grown on GaAs by Rutherford backscattering/channeling
期刊论文
aip advances, 2012, 卷号: 2, 期号: 4, 页码: 042102
Zhou SQ (Zhou, Shengqiang)
;
Chen L (Chen, Lin)
;
Shalimov A (Shalimov, Artem)
;
Zhao JH (Zhao, Jianhua)
;
Helm M (Helm, Manfred)
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2013/03/26
Interfaces in heterostructures of AlInGaN/GaN/Al2O3
期刊论文
superlattices and microstructures, 2006, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 429-435
Zhou SQ
;
Wu MF
;
Yao SD
;
Liu JP
;
Yang H
收藏
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/04/11
nitride semiconductors
interface
Rutherford backscattering/channeling
transmission electron microscopy
x-ray diffraction
SUPER-LATTICES
STRAIN
GAN
Thermal annealing behaviour of Pt on n-GaN Schottky contacts
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2003, 卷号: 36, 期号: 8, 页码: 1018-1022
作者:
Zhang SM
;
Zhao DG
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浏览/下载:179/3
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提交时间:2010/08/12
BARRIER FORMATION
DIODES
PD
Depth dependence of the tetragonal distortion of a GaN layer on Si(111) studied by Rutherford backscattering/channeling
期刊论文
applied physics letters, 2002, 卷号: 80, 期号: 22, 页码: 4130-4132
Wu MF
;
Chen CC
;
Zhu DZ
;
Zhou SQ
;
Vantomme A
;
Langouche G
;
Zhang BS
;
Yang H
收藏
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浏览/下载:65/0
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提交时间:2010/08/12
X-RAY-DIFFRACTION
ELASTIC STRAIN
INGAN
Structural study of YSi1.7 layers formed by channeled ion beam synthesis
期刊论文
journal of vacuum science & technology b, 1998, 卷号: 16, 期号: 4, 页码: 1901-1906
Wu MF
;
Yao SD
;
Vantomme A
;
Hogg S
;
Pattyn H
;
Langouche G
;
Yang QQ
;
Wang QM
收藏
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2010/08/12
YTTRIUM-SILICIDE LAYERS
ERSI1.7 LAYERS
COSI2 LAYERS
THIN-FILMS
IMPLANTATION
SI
DIFFRACTION
STABILITY
KINETICS
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