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科研机构
半导体研究所 [19]
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期刊论文 [19]
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2008 [1]
2006 [1]
2003 [2]
2002 [2]
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学科主题
半导体物理 [19]
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学科主题:半导体物理
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Temperature dependence of hole spin relaxation in ultrathin InAs monolayers
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2010, 卷号: 42, 期号: 5, 页码: 1597-1600
作者:
Zhang XH
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浏览/下载:80/0
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提交时间:2010/04/28
Ultrathin InAs monolayer
Hole spin relaxation
DP mechanism
SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS
WELLS
GAAS
Single-photon emission from a single InAs quantum dot
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 2, 页码: 501-504
Dou, XM
;
Sun, BQ
;
Huang, SS
;
Ni, HQ
;
Niu, ZC
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浏览/下载:39/2
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提交时间:2010/03/08
FLUORESCENCE
TEMPERATURE
New type of Fano resonant tunneling via Anderson impurities in superlattice
期刊论文
europhysics letters, 2006, 卷号: 74, 期号: 5, 页码: 875-881
作者:
Liu J
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浏览/下载:50/0
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提交时间:2010/04/11
ELECTRIC-FIELD
SEMICONDUCTOR SUPERLATTICES
LOCALIZATION
Time-resolved photoluminescence studies of AlInGaN alloys
期刊论文
chinese physics letters, 2003, 卷号: 20, 期号: 7, 页码: 1148-1150
作者:
Li DB
收藏
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2010/08/12
INXALYGA1-X-YN QUATERNARY ALLOYS
LUMINESCENCE
Localized exciton dynamics in AlInGaN alloy
期刊论文
solid state communications, 2003, 卷号: 126, 期号: 8, 页码: 473-477
Huang JS
;
Dong X
;
Luo XD
;
Liu XL
;
Xu ZY
;
Ge WK
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2010/08/12
AlInGaN
quantum dots
hopping
stretched-exponential decay
MULTIPLE-QUANTUM WELLS
LIGHT-EMITTING-DIODES
TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
THERMAL-ACTIVATION
LUMINESCENCE
TRANSITIONS
RELAXATION
SILICON
LAYERS
Anomalous temperature dependence of photoluminescence in GaInNAs/GaAs multiple quantum wells
期刊论文
chinese physics letters, 2002, 卷号: 19, 期号: 8, 页码: 1203-1206
作者:
Jiang DS
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2010/08/12
BAND
LUMINESCENCE
GAAS
LOCALIZATION
EMISSION
BEHAVIOR
SHIFT
INGAN
Raman study of low-temperature-grown Al0.29Ga0.71As/GaAs photorefractive materials
期刊论文
physical review b, 2002, 卷号: 65, 期号: 12, 页码: art.no.125325
作者:
Tan PH
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浏览/下载:76/4
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
ALXGA1-XAS ALLOYS
GAAS
PHOTOLUMINESCENCE
Thermal redistribution of localized excitons and its effect on the luminescence band in InGaN ternary alloys
期刊论文
applied physics letters, 2001, 卷号: 79, 期号: 12, 页码: 1810-1812
Li Q
;
Xu SJ
;
Cheng WC
;
Xie MH
;
Tong SY
;
Che CM
;
Yang H
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浏览/下载:79/7
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提交时间:2010/08/12
QUANTUM DOTS
TEMPERATURE
PHOTOLUMINESCENCE
ACTIVATION
DIODES
Substrate dependence of InGaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of vacuum science & technology b, 2001, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: 197-201
作者:
Xu B
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浏览/下载:98/6
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提交时间:2010/08/12
ORIENTED GAAS
INAS ISLANDS
HIGH-INDEX
SURFACES
TEMPERATURE
TOPOGRAPHY
STRAIN
LASER
X-ray diffraction analysis on gallium-indium interdiffusion in quantum dot superlattices
期刊论文
chinese physics letters, 2001, 卷号: 18, 期号: 6, 页码: 810-812
Wang H
;
Xu SJ
;
Li Q
;
Feng SL
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提交时间:2010/08/12
LUMINESCENCE
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