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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Atomic configurations of dislocation core and twin boundaries in 3C-SiC studied by high-resolution electron microscopy 期刊论文 physical review b, 2007, 卷号: 75, 期号: 18, 页码: art.no.184103 Tang CY; Li FH; Wang R; Zou J; Zheng XH; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2010/03/29 IMAGE DECONVOLUTION   Transmission electron microscopy study of triple-ribbon contrast features in a ZnTe epitaxial layer 期刊论文 philosophical magazine letters, 1998, 卷号: 78, 期号: 3, 页码: 203-211 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/08/12 THREADING DISLOCATION DENSITIES  II-VI COMPOUNDS  MISFIT DISLOCATIONS  SEMICONDUCTORS  ORIGIN  FILMS   ELECTRON-STATES OF A VACANCY IN THE CORE OF THE 90-DEGREES PARTIAL DISLOCATION IN SILICON 期刊论文 physica status solidi b-basic research, 1995, 卷号: 189, 期号: 2, 页码: 473-477 MARKLUND S; WANG YL 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2010/11/17 STACKING-FAULTS  BEHAVIOR  DEFECTS   ENERGY-LEVEL CALCULATIONS OF THE RECONSTRUCTED 90-DEGREES PARTIAL DISLOCATION IN SILICON 期刊论文 solid state communications, 1992, 卷号: 82, 期号: 2, 页码: 137-140 MARKLUND S; WANG YL 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2010/11/15 CORE STRUCTURE  STATES  MODEL