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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Fabrication and photoelectric properties of La-doped p-type ZnO nanofibers and crossed p–n homojunctions by electrospinning 期刊论文 Nanoscale, 2015, 卷号: 7, 期号: 23, 页码: 10513-10518 H.D. Zhang; M. Yu; J.C. Zhang; C.H. Sheng; X. Yan; W.P. Han; Y.C. Liu; S. Chen; G.Z. Shen; Y.Z. Long 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2016/03/29 Design of shallow acceptors in ZnO through compensated donor-acceptor complexes: A density functional calculation 期刊论文 physical review b, 2009, 卷号: 80, 期号: 15, 页码: art.no.153201 Gai YQ (Gai, Yanqin); Li JB (Li, Jingbo); Li SS (Li, Shu-Shen); Xia JB (Xia, Jian-Bai); Yan YF (Yan, Yanfa); Wei SH (Wei, Su-Huai) 收藏  |  浏览/下载：130/34  |  提交时间：2010/03/08 INITIO MOLECULAR-DYNAMICS   The bipolar doping of ZnS via native defects and external dopants 期刊论文 journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 11, 页码: art. no. 113704 作者:  Li JB 收藏  |  浏览/下载：131/30  |  提交时间：2010/03/08 AUGMENTED-WAVE METHOD  P-TYPE ZNO  POINT-DEFECTS  II-VI  NITROGEN  SEMICONDUCTORS  1ST-PRINCIPLES  COMPENSATION  ENHANCEMENT   Effect on nitrogen acceptor as Mg is alloyed into ZnO 期刊论文 applied physics letters, 2008, 卷号: 92, 期号: 6, 页码: art. no. 062110 Gai, YQ; Yao, B; Wei, ZP; Li, YF; Lu, YM; Shen, DZ; Zhang, JY; Zhao, DX; Fan, XW; Li, JB; Xia, JB 收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2010/03/08 P-TYPE ZNO  II-VI  BAND-GAP  SEMICONDUCTORS  FILMS  MGXZN1-XO  EPITAXY   Dependence of intrinsic defects in ZnO films on oxygen fraction studied by positron annihilation 期刊论文 chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 489-492 Peng CX; Weng HM; Yang XJ; Ye BJ; Cheng B; Zhou XY; Han RD 收藏  |  浏览/下载：235/9  |  提交时间：2010/04/11 P-TYPE ZNO  THIN-FILMS  ROOM-TEMPERATURE  PHOTOLUMINESCENCE  DEPOSITION  SUBSTRATE  VACANCIES  LAYER  BEAM  GAN   As-doped p-type ZnO films by sputtering and thermal diffusion process 期刊论文 journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 4, 页码: art.no.043704 Wang P (Wang Peng); Chen NF (Chen Nuofu); Yin ZG (Yin Zhigang); Yang F (Yang Fei); Peng CT (Peng Changtao); Dai RX (Dai Ruixuan); Bai YM (Bai Yiming) 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2010/04/11 RAY-PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY  INAS SURFACES  FABRICATION  DEPOSITION  LAYERS  OXIDE   Design of shallow acceptors in ZnO: First-principles band-structure calculations 期刊论文 physical review b, 2006, 卷号: 74, 期号: 8, 页码: art.no.081201 Li J (Li Jingbo); Wei SH (Wei Su-Huai); Li SS (Li Shu-Shen); Xia JB (Xia Jian-Bai) 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/04/11 P-TYPE ZNO  TOTAL-ENERGY CALCULATIONS  WAVE BASIS-SET  II-VI  ROOM-TEMPERATURE  THIN-FILMS  SEMICONDUCTORS  FABRICATION  DEFECTS  DEVICES   Recombination property of nitrogen-acceptor-bound states in ZnO 期刊论文 journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 4, 页码: art.no.046101 Yang XD; Xu ZY; Sun Z; Sun BQ; Ding L; Wang FZ; Ye ZZ 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/04/11 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  P-TYPE ZNO  OPTICAL-PROPERTIES  EXCITON FORMATION  PHOTOLUMINESCENCE  FILMS  SPECTROSCOPY  DYNAMICS  IMPURITY  ENERGY