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科研机构
半导体研究所 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2008 [2]
学科主题
半导体物理 [2]
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学科主题:半导体物理
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Influence of spacer layer thickness on the current-voltage characteristics of pseudomorphic AlAs/In0.53Ga0.47As/InAs resonant tunnelling diodes
期刊论文
chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 4, 页码: 1472-1474
Zhang, Y
;
Han, CL
;
Gao, JF
;
Zhu, ZP
;
Wang, BQ
;
Zeng, YP
收藏
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浏览/下载:55/6
  |  
提交时间:2010/03/08
resonant tunnelling diode
molecular beam epitaxy
Dependence of current-voltage characteristics of pseudomorphic AlAs/In0.53Ga0.47As/InAs resonant tunnelling diodes on quantum well widths
期刊论文
chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 12, 页码: 4645-4647
作者:
Zhang Y
;
Zhang Y
收藏
  |  
浏览/下载:266/32
  |  
提交时间:2010/03/08
resonant tunnelling diode
molecular beam epitaxy
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