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半导体研究所 [38]
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期刊论文 [37]
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2013 [1]
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学科主题
半导体物理 [38]
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学科主题:半导体物理
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Effective n-type doping strategy through codoping Si-Al-F-N in aluminum nitride
期刊论文
applied physics express, 2014, 卷号: 7, 期号: 11, 页码: 111004
Wang, Zhiguo
;
Li, Jingbo
;
Fu, Yong Qing
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2015/03/20
Stable p- and n-type doping of few-layer graphene/graphite
期刊论文
carbon, 2013, 卷号: 57, 页码: 507-514
Meng, Xiuqing
;
Tongay, Sefaattin
;
Kang, Jun
;
Chen, Zhanghui
;
Wu, Fengmin
;
Li, Shu-Shen
;
Xia, Jian-Bai
;
Li, Jingbo
;
Wu, Junqiao
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2013/08/27
Selection rule of preferred doping site for n-type oxides
期刊论文
applied physics letters, 2012, 卷号: 100, 期号: 26, 页码: 262109
Li, C
;
Li, JB
;
Li, SS
;
Xia, JB
;
Wei, SH
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2013/02/07
Electrode-contact enhancement in silicon nanowire-array-textured solar cells
期刊论文
applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 14, 页码: article no.143108
Chen C
;
Jia R
;
Li HF
;
Meng YL
;
Liu XY
;
Ye TC
;
Kasai S
;
Tamotsu H
;
Wu NJ
;
Wang SL
;
Chu JH
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浏览/下载:40/4
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提交时间:2011/07/05
The explanation of InN bandgap discrepancy based on experiments and first-principle calculations
期刊论文
physics letters a, 2011, 卷号: 375, 期号: 7, 页码: 1152-1155
作者:
Li JB
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浏览/下载:59/6
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提交时间:2011/07/05
First principle calculation
Indium nitride
Band gap
Defect
INITIO MOLECULAR-DYNAMICS
AUGMENTED-WAVE METHOD
INDIUM NITRIDE
GAP
PSEUDOPOTENTIALS
SEMICONDUCTORS
IMPURITIES
ABSORPTION
DEFECTS
ALLOYS
Doping induced spin filtering effect in zigzag graphene nanoribbons with asymmetric edge hydrogenation
期刊论文
applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 8, 页码: article no.83109
Kang J
;
Wu FM
;
Li JB
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浏览/下载:44/4
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提交时间:2011/07/05
Band crossing in isovalent semiconductor alloys with large size mismatch: First-principles calculations of the electronic structure of Bi and N incorporated GaAs
期刊论文
physical review b, 2010, 卷号: 82, 期号: 19, 页码: art. no. 193204
Deng HX (Deng Hui-Xiong)
;
Li JB (Li Jingbo)
;
Li SS (Li Shu-Shen)
;
Peng HW (Peng Haowei)
;
Xia JB (Xia Jian-Bai)
;
Wang LW (Wang Lin-Wang)
;
Wei SH (Wei Su-Huai)
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2010/12/27
IMPURITIES
GAAS1-XNX
NITROGEN
GAINNAS
STATES
TRAPS
Origin and Enhancement of Hole-Induced Ferromagnetism in First-Row d(0) Semiconductors
期刊论文
physical review letters, 2009, 卷号: 102, 期号: 1, 页码: art. no. 017201
作者:
Li JB
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浏览/下载:393/60
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提交时间:2010/03/08
COLLECTIVE ELECTRON FERROMAGNETISM
ENERGY
MODEL
Design of shallow acceptors in ZnO through compensated donor-acceptor complexes: A density functional calculation
期刊论文
physical review b, 2009, 卷号: 80, 期号: 15, 页码: art.no.153201
Gai YQ (Gai, Yanqin)
;
Li JB (Li, Jingbo)
;
Li SS (Li, Shu-Shen)
;
Xia JB (Xia, Jian-Bai)
;
Yan YF (Yan, Yanfa)
;
Wei SH (Wei, Su-Huai)
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浏览/下载:130/34
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提交时间:2010/03/08
INITIO MOLECULAR-DYNAMICS
The bipolar doping of ZnS via native defects and external dopants
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 11, 页码: art. no. 113704
作者:
Li JB
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浏览/下载:131/30
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提交时间:2010/03/08
AUGMENTED-WAVE METHOD
P-TYPE ZNO
POINT-DEFECTS
II-VI
NITROGEN
SEMICONDUCTORS
1ST-PRINCIPLES
COMPENSATION
ENHANCEMENT
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