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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Detection of large in-plane spin-dephasing anisotropy in [100]-grown GaAs/AlGaAs quantum wells 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2011, 卷号: 43, 期号: 5, 页码: 1127-1130 作者:  Zhang XH 收藏  |  浏览/下载：47/3  |  提交时间：2011/07/05 ZINCBLENDE HETEROSTRUCTURES  RELAXATION ANISOTROPY  SYSTEMS  SPINTRONICS  DYNAMICS   Effect of Interface Roughness and Dislocation Density on Electroluminescence Intensity of InGaN Multiple Quantum Wells 期刊论文 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 11, 页码: 4143-4146 Zhao, DG; Jiang, DS; Zhu, JJ; Liu, ZS; Zhang, SM; Wang, YT; Yang, H 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/03/08 X-RAY-DIFFRACTION  EPITAXIAL GAN  DEPENDENCE  PHOTOLUMINESCENCE  GROWTH  FILMS   Growth mode and strain evolution during InN growth on GaN(0001) by molecular-beam epitaxy 期刊论文 applied physics letters, 2002, 卷号: 81, 期号: 21, 页码: 3960-3962 Ng YF; Cao YG; Xie MH; Wang XL; Tong SY 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2010/08/12 MISFIT DISLOCATIONS  DEFECTS  INGAN  GAN  REDUCTION  INDIUM  LAYERS  FILMS   SCATTERING RATES OF WANNIER STATES IN SUPERLATTICES IN AN ELECTRIC-FIELD 期刊论文 physical review b, 1994, 卷号: 50, 期号: 20, 页码: 15067-15072 XIA JB 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/15 NEGATIVE DIFFERENTIAL CONDUCTANCE  SEMICONDUCTOR SUPERLATTICES  GAAS/ALAS SUPERLATTICES  INDUCED LOCALIZATION  STARK LOCALIZATION  CONDUCTIVITY  QUANTIZATION  VELOCITY