×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2010 [1]
1996 [3]
学科主题
半导体物理 [4]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共4条,第1-4条
帮助
限定条件
学科主题:半导体物理
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Defects in gallium nitride nanowires: First principles calculations
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 4, 页码: art. no. 044305
Wang ZG (Wang Zhiguo)
;
Li JB (Li Jingbo)
;
Gao F (Gao Fei)
;
Weber WJ (Weber William J.)
收藏
  |  
浏览/下载:105/1
  |  
提交时间:2010/10/11
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
GAN NANOWIRES
NATIVE DEFECTS
COMPLEXES
EPITAXY
GROWTH
ARRAYS
On the soft wall guiding potentials in realistic quantum waveguides
期刊论文
journal of applied physics, 1996, 卷号: 79, 期号: 10, 页码: 7780-7784
Xia JB
;
Sheng WD
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2010/11/17
BALLISTIC-TRANSPORT
BEND
Influence of the lateral confining potential on the ballistic electron transport in a quantum wire
期刊论文
physics letters a, 1996, 卷号: 220, 期号: 0, 页码: 268-274
Sheng WD
;
Xia JB
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2010/11/17
ballistic transport
confining potential
quantum wire
CONDUCTANCE
BEND
GAS
Optical study of heterointerface configuration in narrow GaAs/AlGaAs single quantum wells prepared with growth interruption
期刊论文
journal of applied physics, 1996, 卷号: 79, 期号: 2, 页码: 1073-1077
Yuan ZL
;
Xu ZY
;
Zheng BZ
;
Luo CP
;
Xu JZ
;
Ge WK
;
Zhang PH
;
Yang XP
收藏
  |  
浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2010/11/17
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
MONOLAYER-FLAT ISLANDS
SEMICONDUCTOR INTERFACES
EXCITON TRANSFER
TEMPERATURE
LINEWIDTH
DYNAMICS
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace