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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Strain and magnetic anisotropy of as-grown and annealed Fe films on c(4x4) reconstructed GaAs (001) surface 期刊论文 journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 1, 页码: art. no. 013911 作者:  Chen L 收藏  |  浏览/下载：74/0  |  提交时间：2010/03/08 annealing  gallium arsenide  iron  magnetic anisotropy  magnetic epitaxial layers  magnetisation  molecular beam epitaxial growth  transmission electron microscopy  X-ray diffraction   Photoluminescence and lasing properties of InAs/GaAs quantum dots grown by metal-organic chemical vapour deposition 期刊论文 chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 11, 页码: 4300-4304 作者:  Liang S;  Pan JQ 收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2010/03/08 metal-organic chemical vapour deposition   Electroluminescence from nano-crystalline Si/SiO2 structures embedded in pn junctions 期刊论文 superlattices and microstructures, 2008, 卷号: 44, 期号: 2, 页码: 160-165 Chen DY; Wang X; Wei DY; Wang T; Xu J; Ma ZY; Li W; Chen KJ; Shi WH; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：95/0  |  提交时间：2010/03/08 PECVD   Application of rapid thermal annealing on 1.3-1.55 mu m GaInNAs(Sb) lasers grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2007, 卷号: 301, 期号: 0, 页码: 979-983 Zhao, H (Zhao, H.); Xu, YQ (Xu, Y. Q.); Ni, HQ (Ni, H. Q.); Zhang, SY (Zhang, S. Y.); Han, Q (Han, Q.); Du, Y (Du, Y.); Yang, XH (Yang, X. H.); Wu, RH (Wu, R. H.); Niu, ZC (Niu, Z. C.) 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2010/03/29 photoluminescence   Memory effect in a system of zincblende Mn-rich Mn(Ga)As nanoclusters embedded in GaAs 期刊论文 applied physics letters, 2007, 卷号: 91, 期号: 20, 页码: art.no.202503 Wang WZ; Deng JJ; Lu J; Sun BQ; Zhao JH 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2010/03/29 SEMICONDUCTORS   Post-growth and in situ annealing on GaInNAs(Sb) and their application in 1.55 mu m lasers 期刊论文 semiconductor science and technology, 2006, 卷号: 21, 期号: 3, 页码: 279-282 作者:  Xu YQ;  Yang XH 收藏  |  浏览/下载：76/0  |  提交时间：2010/04/11 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  IMPROVED LUMINESCENCE EFFICIENCY  QUANTUM-WELLS  ORIGIN   Anomalous temperature dependence of photoluminescence from InAs quantum dots 期刊论文 journal of applied physics, 2000, 卷号: 88, 期号: 5, 页码: 2529-2532 作者:  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/08/12 WELLS  (IN  GA)AS/GAAS