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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effects and numerical analysis of argon gas flow on the oxygen concentration in Czochralski silicon single crystal growth 期刊论文 microelectronic engineering, 2003, 卷号: 66, 期号: 1-4, 页码: 504-509 Zhang ZC; Ren BY; Chen YH; Yang SY; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/08/12 Czochralski method  growth from melt  semiconductor silicon  argon gas flow  computer simulation  oxygen content  FURNACE PRESSURE   Numerical analysis of LEC growth of GaAs with an axial magnetic field 期刊论文 international journal of heat and mass transfer, 2002, 卷号: 45, 期号: 13, 页码: 2843-2851 Li MW; Hu WR; Chen NH; Zeng DL; Tang ZM 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2010/08/12 liquid encapsulant Czochralski (LEC)  growth of GaAs  magnetic field finite-element method  boron oxide  CRYSTAL-GROWTH  HEAT-TRANSFER  CONVECTION  FLOW  SIMULATION  MODEL