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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Growth and characterization of AlGaN/GaN heterostructure using unintentionally doped AlN/GaN superlattices as barrier layer 期刊论文 superlattices and microstructures, 2009, 卷号: 45, 期号: 2, 页码: 54-59 作者:  Zhang ML 收藏  |  浏览/下载：161/57  |  提交时间：2010/03/08 AlGaN/GaN heterostructure  Superlattices (SLs)  Root mean square roughness (RMS)  Sheet resistance   Influence of V/III ratio on the structural and photoluminescence properties of In0.52AlAs/In0.53GaAs metamorphic high electron mobility transistor grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 3, 页码: 1119-1123 Gao, HL; Zeng, YP; Wang, BQ; Zhu, ZP; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：54/6  |  提交时间：2010/03/08 molecular beam epitaxy  semiconducting III-V materials  high electron mobility transistors   Effect on nitrogen acceptor as Mg is alloyed into ZnO 期刊论文 applied physics letters, 2008, 卷号: 92, 期号: 6, 页码: art. no. 062110 Gai, YQ; Yao, B; Wei, ZP; Li, YF; Lu, YM; Shen, DZ; Zhang, JY; Zhao, DX; Fan, XW; Li, JB; Xia, JB 收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2010/03/08 P-TYPE ZNO  II-VI  BAND-GAP  SEMICONDUCTORS  FILMS  MGXZN1-XO  EPITAXY   Experimental measurement of microwave-induced electron spin-flip time 期刊论文 applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 2, 页码: 204-206 作者:  Tan PH 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/08/12 DETECTED MAGNETIC-RESONANCE  QUANTUM-WELLS  EXCESS ELECTRONS  EXCITONS  GAS   Intrasubband and intersubband transitions in lightly and heavily doped GaAs/AlGa1-xAs multiple quantum wells 期刊论文 physical review b, 1998, 卷号: 57, 期号: 19, 页码: 12388-12396 Zhu QS; Wang XB; Zhong ZT; Zhou XC; He YP; Cao ZP; Zhang GZ; Xiao J; Sun XH; Yang HZ; Du QG 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/08/12 LEVEL TRANSIENT SPECTROSCOPY  SUB-BAND ABSORPTION  INFRARED PHOTODETECTORS  GAAS  HETEROSTRUCTURES  ELECTRONS