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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Transmission properties of electron in quantum rings 期刊论文 journal of applied physics, 2008, 卷号: 103, 期号: 6, 页码: art. no. 063723 Li, CL; Yang, FH; Feng, SL; Wang, XM 收藏  |  浏览/下载：109/1  |  提交时间：2010/03/08 PERSISTENT CURRENTS  ENERGY  STATES  WELL  FLUX   Preferred growth of nanocrystalline silicon in boron-doped nc-Si : H Films 期刊论文 vacuum, 2004, 卷号: 74, 期号: 1, 页码: 69-75 Wei WS; Wang TM; Zhang CX; Li GH; Han HX; Ding K 收藏  |  浏览/下载：181/44  |  提交时间：2010/03/09 hydrogenated nanocrystalline silicon film   Numerical analysis of LEC growth of GaAs with an axial magnetic field 期刊论文 international journal of heat and mass transfer, 2002, 卷号: 45, 期号: 13, 页码: 2843-2851 Li MW; Hu WR; Chen NH; Zeng DL; Tang ZM 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2010/08/12 liquid encapsulant Czochralski (LEC)  growth of GaAs  magnetic field finite-element method  boron oxide  CRYSTAL-GROWTH  HEAT-TRANSFER  CONVECTION  FLOW  SIMULATION  MODEL   Influence of InxGa1-xAs (0 <= x <= 0.3) cap layer on structural and optical properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots 期刊论文 japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 2000, 卷号: 39, 期号: 9a, 页码: 5076-5079 Wang XD; Niu ZC; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2010/08/12 InAs quantum dots  strain-reduction  molecular beam epitaxy (MBE)  red shift  photoluminescence  1.3 MU-M  INGAAS  ENERGY   Structural and optical properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots covered by InxGa1-xAs (0 <= x <= 0.3) 期刊论文 journal of applied physics, 2000, 卷号: 88, 期号: 6, 页码: 3392-3395 作者:  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/08/12 1.3 MU-M  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ROOM-TEMPERATURE  PHOTOLUMINESCENCE LINEWIDTH  EMISSION  LASERS  ENERGY