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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Electrical switching of the edge channel transport in HgTe quantum wells with an inverted band structure 期刊论文 physical review b, 2011, 卷号: 83, 期号: 8, 页码: article no.81402 Zhang LB; Cheng F; Zhai F; Chang K 收藏  |  浏览/下载：48/5  |  提交时间：2011/07/05 An Anomalous Gain Mechanism in GaN Schottky Barrier Ultraviolet Photodetectors 期刊论文 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: art. no. 058501 作者:  Yang H;  Wang H;  Zhu JJ;  Jiang DS;  Wang H 收藏  |  浏览/下载：195/36  |  提交时间：2010/03/08 SINGLE-CRYSTAL GAN  HETEROJUNCTION  DETECTORS  PHOTODIODES  LAYER   The transition from Eu3+ to Eu2+ in SiO2(Eu) thin films prepared by ion implantation and co-sputtering 期刊论文 acta physica sinica, 2001, 卷号: 50, 期号: 3, 页码: 532-535 Liu FZ; Zhu MF; Liu T; Li BC 收藏  |  浏览/下载：165/50  |  提交时间：2010/08/12 SiO2(Eu) films  XANES  SPECTROSCOPY  SILICON  VALENCE  GLASS  ER3+   Gap states of hydrogenated amorphous silicon near and above the threshold of microcrystallinity with subtle boron compensation 期刊论文 applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 17, 页码: 2509-2511 Sheng SR; Liao XB; Kong GL 收藏  |  浏览/下载：103/17  |  提交时间：2010/08/12 CONSTANT PHOTOCURRENT METHOD  A-SI-H  ABSORPTION  FILMS  SPECTROSCOPY  DEPOSITION  STABILITY  DILUTION   WANNIER LOCALIZATION IN GAAS/GAALAS SUPERLATTICES UNDER ELECTRIC-FIELD 期刊论文 journal of applied physics, 1992, 卷号: 72, 期号: 7, 页码: 3209-3211 ZHANG YH; JIANG DS; LI F; ZHOU JM; MEI XB 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/15 EXCITON STARK LADDER  SEMICONDUCTOR SUPERLATTICES  ABSORPTION-EDGE  BLUE SHIFT  QUANTIZATION