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科研机构
半导体研究所 [5]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
2000 [1]
1999 [1]
1998 [1]
1997 [1]
1996 [1]
学科主题
半导体物理 [5]
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学科主题:半导体物理
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Photoluminescence of ZnO : Tb nanoparticles
期刊论文
acta physica sinica, 2000, 卷号: 49, 期号: 11, 页码: 2307-2309
作者:
Liu SM
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2010/08/12
photoluminescence
doping
nanocrystals
NANOCRYSTALS
CENTERS
High-frequency hydrogen-related infrared modes in silicon grown in a hydrogen atmosphere
期刊论文
physical review b, 1999, 卷号: 59, 期号: 11, 页码: 7500-7506
Pajot B
;
Clerjaud B
;
Xu ZJ
收藏
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浏览/下载:51/0
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提交时间:2010/08/12
ION-IMPLANTED SILICON
UNIAXIAL-STRESS
ABSORPTION
NITROGEN
DEFECT
GERMANIUM
COMPLEXES
OXYGEN
LEVEL
BANDS
Annealing behaviors of photoluminescence from SiOx : H
期刊论文
journal of applied physics, 1998, 卷号: 83, 期号: 12, 页码: 7934-7939
Ma ZX
;
Liao XB
;
He J
;
Cheng WC
;
Yue GZ
;
Wang YQ
;
Kong GL
收藏
  |  
浏览/下载:29/0
  |  
提交时间:2010/08/12
POROUS SILICON PHOTOLUMINESCENCE
VISIBLE-LIGHT EMISSION
RAMAN-SCATTERING
GLOW-DISCHARGE
LUMINESCENCE
CONFINEMENT
SPECTRA
ORIGIN
FILMS
BONDS
Ab initio calculations for the neutral and charged O vacancy in sapphire
期刊论文
physical review b, 1997, 卷号: 56, 期号: 12, 页码: 7277-7284
Xu YN
;
Gu ZQ
;
Zhong XF
;
Ching WY
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/17
OPTICAL-ABSORPTION
CORUNDUM CRYSTALS
ALPHA-ALUMINA
F+ CENTER
ALPHA-AL2O3
AL2O3
DEFECTS
SIMULATION
DAMAGE
STATES
Verification of EL2 electronic absorption effect on charge transfer in semi-insulating GaAs
期刊论文
physical review b, 1996, 卷号: 53, 期号: 15, 页码: 9809-9813
Ge WK
;
Song CY
;
Jiang DS
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/17
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