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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The explanation of InN bandgap discrepancy based on experiments and first-principle calculations 期刊论文 physics letters a, 2011, 卷号: 375, 期号: 7, 页码: 1152-1155 作者:  Li JB 收藏  |  浏览/下载：59/6  |  提交时间：2011/07/05 First principle calculation  Indium nitride  Band gap  Defect  INITIO MOLECULAR-DYNAMICS  AUGMENTED-WAVE METHOD  INDIUM NITRIDE  GAP  PSEUDOPOTENTIALS  SEMICONDUCTORS  IMPURITIES  ABSORPTION  DEFECTS  ALLOYS   Anomaly of the current self-oscillation frequency in the sequential tunneling of a doped GaAs/AlAs superlattice 期刊论文 physical review b, 2000, 卷号: 61, 期号: 11, 页码: 7261-7264 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：63/0  |  提交时间：2010/08/12 GAAS-ALAS SUPERLATTICES  ELECTRIC-FIELD DOMAINS  MULTIPLE QUANTUM-WELLS  SEMICONDUCTOR SUPERLATTICES  ROOM-TEMPERATURE  DIODES  MODEL  INSTABILITIES  TRANSPORT   SHIFTING PHOTOLUMINESCENCE BANDS IN HIGH-RESISTIVITY LI-COMPENSATED GAAS 期刊论文 physical review b, 1993, 卷号: 47, 期号: 15, 页码: 9418-9424 GISLASON HP; YANG BH; LINNARSSON M 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/15 IMPLANTED GAAS  EMISSION