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科研机构
半导体研究所 [5]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
2011 [1]
2008 [1]
2003 [1]
2002 [1]
2000 [1]
学科主题
半导体物理 [5]
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学科主题:半导体物理
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Effect of built-in electric field in photovoltaic InAs quantum dot embedded GaAs solar cell
期刊论文
applied physics a-materials science & processing, 2011, 卷号: 103, 期号: 2, 页码: 335-341
作者:
He JF
;
Li MF
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浏览/下载:40/1
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提交时间:2011/07/05
INTERMEDIATE-BAND
TRANSITIONS
Photoelectric characteristics of metal/InGaN/GaN heterojunction structure
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 16, 页码: art. no. 165108
Sun, X
;
Liu, WB
;
Jiang, DS
;
Liu, ZS
;
Zhang, S
;
Wang, LL
;
Wang, H
;
Zhu, JJ
;
Duan, LH
;
Wang, YT
;
Zhao, DG
;
Zhang, SM
;
Yang, H
收藏
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浏览/下载:64/0
  |  
提交时间:2010/03/08
FUNDAMENTAL-BAND GAP
IN1-XGAXN ALLOYS
INN
Effect of InAs quantum dots on the Fermi level pinning of undoped-n(+) type GaAs surface studied by contactless electroreflectance
期刊论文
journal of applied physics, 2003, 卷号: 93, 期号: 7, 页码: 4169-4172
作者:
Li CM
;
Jin P
;
Xu B
收藏
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2010/08/12
FRANZ-KELDYSH OSCILLATIONS
MICROSCOPY
ISLANDS
Impact of polarization on quasi-two-dimensional exciton and barrier-width dependence of the exciton associated transition in wurtzite III-V nitride quantum wells
期刊论文
solid state communications, 2002, 卷号: 122, 期号: 5, 页码: 287-292
Wan SP
;
Xia JB
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2010/08/12
quantum wells
semiconductors
piezoelectricity
optical properties
OPTICAL-ABSORPTION
GAN
HETEROSTRUCTURES
SPECTROSCOPY
CONSTANTS
ENERGIES
LIFETIME
SPECTRA
FIELDS
INN
Fourier transformation study of the Franz-Keldysh Oscillation in SIN+ GaAs structures
期刊论文
acta physica sinica, 2000, 卷号: 49, 期号: 9, 页码: 1821-1828
作者:
Jin P
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浏览/下载:37/0
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提交时间:2010/08/12
Franz-Keldysh Oscillation
Fourier transformation
GaAs
DELTA-DOPED GAAS
PHOTOREFLECTANCE
FIELD
ELECTROREFLECTANCE
SPECTROSCOPY
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