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Raman study of ultrathin Fe(3)O(4) films on GaAs(001) substrate: stoichiometry, epitaxial orientation and strain 期刊论文
journal of raman spectroscopy, 2011, 卷号: 42, 期号: 6, 页码: 1388-1391
Zhang, J; Tan, PH; Zhao, WJ; Lu, J; Zhao, JH
收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2012/01/06
Detection of large in-plane spin-dephasing anisotropy in [100]-grown GaAs/AlGaAs quantum wells 期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2011, 卷号: 43, 期号: 5, 页码: 1127-1130
作者:  Zhang XH
收藏  |  浏览/下载：47/3  |  提交时间：2011/07/05
Dose rate dependence of electrical characteristics of lead zirconate titanate capacitors 期刊论文
japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 2003, 卷号: 42, 期号: 10, 页码: 6491-6495
Zhang GQ; Sun P; Zou Q; Mei X; Ruda HE; Gu Q; Yu XF; Ren DY; Yan RL
收藏  |  浏览/下载：1272/12  |  提交时间：2010/08/12
Heteroepitaxial growth and annealing of gamma-Al2O3 thin films on silicon 期刊论文
international journal of modern physics b, 2002, 卷号: 16, 期号: 28-29, 页码: 4302-4305
Tan LW; Wang J; Wang QY; Yu YH; Lin LY
收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2010/08/12
GaInNAs/GaAs multiple-quantum well resonant-cavity-enhanced photodetectors at 1.3 mu m 期刊论文
chinese physics letters, 2001, 卷号: 18, 期号: 9, 页码: 1249-1251
作者:  Xu YQ
收藏  |  浏览/下载：103/13  |  提交时间：2010/08/12
Si1-xGex/Si resonant-cavity-enhanced photodetectors with a silicon-on-oxide reflector operating near 1.3 mu m 期刊论文
applied physics letters, 2000, 卷号: 77, 期号: 2, 页码: 157-159
Li C; Yang QQ; Wang HJ; Zhu J; Luo LP; Yu JZ; Wang QM; Li YK; Zhou JM; Lin CL
收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2010/08/12
Carrier transport properties of the (n)nc-Si : H/(p)c-Si heterojunction 期刊论文
acta physica sinica, 2000, 卷号: 49, 期号: 12, 页码: 2466-2471
Peng YC; Xu GY; He YL; Liu M; Li YX
收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/08/12
Pressure dependence of the electronic subband structure of strained In0.2Ga0.8As/GaAs MQWs 期刊论文
physica status solidi b-basic research, 1996, 卷号: 198, 期号: 1, 页码: 329-335
Li GH; Goni AR; Syassen K; Hou HQ; Feng W; Zhou JM
收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/11/17
High-pressure study of optical transitions in strained In0.2Ga0.8As/GaAs multiple quantum wells 期刊论文
physical review b, 1996, 卷号: 54, 期号: 19, 页码: 13820-13826
Li GH; Goni AR; Syassen K; Hou HQ; Feng W; Zhou JM
收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2010/11/17

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