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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The compact microcrystalline Si thin film with structure uniformity in the growth direction by hydrogen dilution profile 期刊论文 journal of applied physics, 2005, 卷号: 98, 期号: 9, 页码: art.no.093505 Gu J; Zhu MF; Wang LJ; Liu FZ; Zhou BQ; Zhou YQ; Ding K; Li GH 收藏  |  浏览/下载：82/18  |  提交时间：2010/03/17 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION   Structural properties of polycrystalline silicon films formed by pulsed rapid thermal processing 期刊论文 chinese physics, 2002, 卷号: 11, 期号: 5, 页码: 492-495 Wang YQ; Liao XB; Diao HW; Zhang SB; Xu YY; Chen CY; Chen WD; Kong GL 收藏  |  浏览/下载：102/13  |  提交时间：2010/08/12 polycrystalline silicon film  rapid thermal processing  microstructure  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  AMORPHOUS-SILICON  PRESSURE  TRANSISTORS  CRYSTALLIZATION  GROWTH   Effect of rapid thermal annealing and hydrogen plasma treatment on the microstructure and light-emission of silicon-rich oxide film 期刊论文 acta physica sinica, 2002, 卷号: 51, 期号: 7, 页码: 1564-1570 Wang YQ; Chen WD; Chen CY; Diao HW; Zhang SB; Xu YY; Kong GL; Liao XB 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/08/12 silicon-rich silicon oxide  microstructure  light-emission  rapid thermal annealing  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  AMORPHOUS-SILICON  POROUS SILICON  SI  LUMINESCENCE  NANOCRYSTALS  SPECTRA  SYSTEM   Microstructure of a-SiOx : H 期刊论文 science in china series a-mathematics physics astronomy, 2002, 卷号: 45, 期号: 10, 页码: 1320-1328 Wang YQ; Liao XB; Diao HW; Cheng WC; Li GH; Chen CY; Zhang SB; Xu YY; Chen WD; Kong GL 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/08/12 a-SiOx : H  microstructure  bonding configuration  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  AMORPHOUS-SILICON  ELECTRONIC-PROPERTIES  SIO2/SI INTERFACE  OXYGEN  FILMS  VIBRATIONS  ALLOYS  SYSTEM   Ion bombardment as the initial stage of diamond film growth 期刊论文 journal of applied physics, 2001, 卷号: 89, 期号: 3, 页码: 1983-1985 Liao MY; Qin FG; Zhang JH; Liu ZK; Yang SY; Wang ZG; Lee ST 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/08/12 BIAS-ENHANCED NUCLEATION  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  BEAM DEPOSITION  MECHANISM  SILICON  SPECTROSCOPY   The microstructure and its high-temperature annealing behaviours of a-Si : O : H film 期刊论文 acta physica sinica, 2001, 卷号: 50, 期号: 12, 页码: 2418-2422 Wang YQ; Chen CY; Chen WD; Yang FH; Diao HW 收藏  |  浏览/下载：82/6  |  提交时间：2010/08/12 a-Si : O : H  nc-Si  microstructure  annealing  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  AMORPHOUS SIO2  OPTICAL-PROPERTIES  SILICON   Carbon film deposited by mass-selected low energy ion beam technique and ion bombardment effect 期刊论文 acta physica sinica, 2000, 卷号: 49, 期号: 11, 页码: 2186-2190 Liao MY; Zhang JH; Qin FG; Liu ZK; Yang SY; Wang ZG; Lee ST 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/08/12 amorphous carbon  ion bombardment  mass-selected low energy ion beam  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  BIAS-ENHANCED NUCLEATION  DIAMOND FILMS  RAMAN-SCATTERING  GROWTH  SILICON  MECHANISM