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半导体研究所 [19]
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学科主题:半导体物理
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CdX(X=S, Se, Te)半导体体材料及纳米线应变效应的第一性原理研究
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
相琳琳
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2017/06/01
第一性原理计算
电子结构性质
单轴应变
II-VI族半导体材料
纳米线
中红外波段GaSb基激光器的材料生长与器件制备
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2017
柴小力
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2017/05/31
窄带隙半导体
锑化镓量子阱
中红外激光器
分子束外延
DBR光栅
硅基III-V族半导体材料的外延生长及量子点激光器研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
刘广政
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浏览/下载:497/0
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提交时间:2016/06/03
GaAs/Si
GaAs/Ge
两步法
四步法
量子点
激光器
Al(Ga)N材料光致发光性质研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2014
王维颖
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浏览/下载:37/0
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提交时间:2014/06/03
AlGaN
深紫外光致发光
高温热退火
GaN/AlGaN量子阱
界面粗糙
偏振特性
双层堆垛长波长InAs/GaAs量子点发光性质研究
期刊论文
光学学报, 2012, 卷号: 32, 期号: 1, 页码: 0125001-1-0125001-6
魏全香,吴兵朋,任正伟,贺振宏,牛智川
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2013/06/03
Zn_(0.83)Mn_(0.17)Se和ZnSe/Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se超晶格材料中Mn~(2+)的压力光谱研究
期刊论文
高压物理学报, 2011, 卷号: 25, 期号: 5, 页码: 385-389
王文杰
;
邓加军
;
丁琨
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2012/07/17
显微光谱研究半绝缘GaAs带边以上E_0+△_0光学性质
期刊论文
物理学报, 2007, 卷号: 56, 期号: 7, 页码: 4213-4217
作者:
谭平恒
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2010/11/23
快速热退火对高应变InGaAs/GaAs量子阱的影响
期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: 1749-1752
作者:
吴东海
;
徐应强
;
牛智川
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/23
分子束外延生长的(GaAs1-xSbx/InyGa1-yAs)/GaAs量子阱光致发光谱研究
期刊论文
物理学报, 2005, 卷号: 54, 期号: 6, 页码: 2950-2954
作者:
牛智川
;
江德生
;
韩勤
;
徐应强
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2010/11/23
第三讲 半导体的激子效应及其在光电子器件中的应用
期刊论文
物理, 2005, 卷号: 34, 期号: 7, 页码: 521-527
作者:
江德生
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2010/11/23
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