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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 2~5μm InAs/GaSb超晶格红外探测器 期刊论文 红外与激光工程, 2011, 卷号: 40, 期号: 8, 页码: 1403-1406 作者:  汤宝;  徐应强;  徐应强;  牛智川;  王国伟 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/07/17 GaAs(331)A面InAs自组织纳米结构形貌演化 期刊论文 真空科学与技术学报, 2008, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: 108-111 牛智红; 任正伟; 贺振宏 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/23 In0.2 Ga0.8 As-GaAs复合应力缓冲层上的1.3 μmInAs/GaAs自组织量子点 期刊论文 红外与毫米波学报, 2005, 卷号: 24, 期号: 5, 页码: 324-327 作者:  牛智川 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/23 空间有序的量子点超晶格的红外吸收 期刊论文 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 11, 页码: 2092-2096 作者:  江德生;  马文全;  陈良惠;  侯识华 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/23 原子氢辅助MBE生长的不同晶面GaAs表面形貌 期刊论文 半导体光电, 2004, 卷号: 25, 期号: 2, 页码: 162-164 作者:  牛智川 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2010/11/23 不同组分In_xGa_(1-x)As(0≤x≤0.3)覆盖层对自组织InAs量子点的影响 期刊论文 物理学报, 2000, 卷号: 49, 期号: 11, 页码: 2230 作者:  王晓东;  牛智川 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/23