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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2009 [1]
2008 [1]
2006 [1]
学科主题
半导体物理 [3]
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学科主题:半导体物理
专题:半导体研究所
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Nonpolar growth and characterization of InN overlayers on vertically oriented GaN nanorods
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 2, 页码: art. no. 026102
作者:
Jiang DS
;
Zhang SM
;
Yang H
;
Yang H
;
Wang YT
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浏览/下载:58/0
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提交时间:2010/03/08
LIGHT-EMITTING-DIODES
FUNDAMENTAL-BAND GAP
NANOWIRES
HETEROSTRUCTURES
NANOSTRUCTURES
MOCVD
POLAR
Structural, electrical, and optical properties of InAsxSb1-x epitaxial films grown by liquid-phase epitaxy
期刊论文
journal of applied physics, 2008, 卷号: 104, 期号: 7, 页码: art. no. 073712
作者:
Wang Y
;
Zhang XW
;
Yin ZG
收藏
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2010/03/08
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
Mutual passivation of donors and isovalent nitrogen in GaAs
期刊论文
physical review letters, 2006, 卷号: 96, 期号: 3, 页码: art.no.035505
Li J
;
Carrier P
;
Wei SH
;
Li SS
;
Xia JB
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浏览/下载:71/0
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提交时间:2010/04/11
DILUTED GANXAS1-X ALLOYS
GROUP-IV DONORS
SEMICONDUCTOR ALLOYS
OPTICAL-PROPERTIES
BAND
GAN(X)AS1-X
IMPURITIES
HYDROGEN
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