×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2010 [1]
2003 [2]
2000 [1]
学科主题
半导体物理 [4]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共4条,第1-4条
帮助
限定条件
学科主题:半导体物理
专题:半导体研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Application of Raman spectroscopy in carbon nanotube-based polymer composites
期刊论文
chinese science bulletin, 2010, 卷号: 55, 期号: 35, 页码: 3978-3988
作者:
Tan PH
收藏
  |  
浏览/下载:101/2
  |  
提交时间:2011/07/05
Raman spectroscopy
carbon nanotube
composites
CNT macroarchitecture
RADIAL BREATHING MODE
DIAMETER DISTRIBUTION
WALL
SCATTERING
FIBERS
SENSORS
STRESS
FUNCTIONALIZATION
NANOCOMPOSITES
OXIDATION
Stress and its effect on optical properties of GaN epilayers grown on Si(111), 6H-SiC(0001), and c-plane sapphire
期刊论文
applied physics letters, 2003, 卷号: 83, 期号: 4, 页码: 677-679
作者:
Zhao DG
收藏
  |  
浏览/下载:1038/2
  |  
提交时间:2010/08/12
VAPOR-PHASE EPITAXY
PHONON DEFORMATION POTENTIALS
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
RAMAN-SCATTERING
ALPHA-GAN
ALN
LAYERS
STRAIN
WURTZITE
FILMS
Optimization of cubic GaN growth by metalorganic chemical vapor deposition based on residual strain relaxation
期刊论文
applied physics letters, 2003, 卷号: 82, 期号: 2, 页码: 206-208
Feng ZH
;
Yang H
;
Zheng XH
;
Fu Y
;
Sun YP
;
Shen XM
;
Wang YT
收藏
  |  
浏览/下载:21/0
  |  
提交时间:2010/08/12
EPITAXIAL-GROWTH
FILMS
GAAS
Anomalous strains in the cubic-phase GaN films grown on GaAs (001) by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of applied physics, 2000, 卷号: 88, 期号: 6, 页码: 3762-3764
作者:
Zhang SM
;
Zhao DG
收藏
  |  
浏览/下载:41/0
  |  
提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
NITRIDE SEMICONDUCTORS
STRESS
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace