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半导体研究所 [82]
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期刊论文 [78]
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半导体物理 [82]
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学科主题:半导体物理
专题:半导体研究所
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Ab initio simulation study of defect assisted Zener tunneling in GaAs diode
期刊论文
AIP ADVANCES, 2017, 卷号: 7, 页码: 065302
作者:
Juan Lu
;
Zhi-Qiang Fan
;
Jian Gong
;
Xiang-Wei Jiang
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2018/06/15
Co-Nucleus 1D/2D Heterostructures with Bi2S3 Nanowire and MoS2 Monolayer:One-Step Growth and Its Defect-Induced Formation Mechanism
期刊论文
ACS Nano, 2016, 卷号: 10, 页码: 8938−8946
Yongtao Li
;
Le Huang
;
Bo Li
;
Xiaoting Wang
;
Ziqi Zhou
;
Jingbo Li
;
Zhongming Wei
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2017/03/16
Strong Photoluminescence Enhancement of MoS2 through Defect Engineering and Oxygen Bonding
期刊论文
acs nano, 2014, 卷号: 8, 期号: 6, 页码: 5738-5745
Nan, HY
;
Wang, ZL
;
Wang, WH
;
Liang, Z
;
Lu, Y
;
Chen, Q
;
He, DW
;
Tan, PH
;
Miao, F
;
Wang, XR
;
Wang, JL
;
Ni, ZH
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浏览/下载:51/0
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提交时间:2015/04/02
Defect of Te-doped GaSb layers grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of infrared and millimeter waves, 2012, 卷号: 31, 期号: 4, 页码: 298-301
Chen Y (Chen Yan)
;
Deng AH (Deng Ai-Hong)
;
Tang B (Tang Bao)
;
Wang GW (Wang Guo-Wei)
;
Xu YQ (Xu Ying-Qiang)
;
Niu ZC (Niu Zhi-Chuan)
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2013/04/02
Defect properties of CuCrO2: A density functional theory calculation
期刊论文
chinese physics b, 2012, 卷号: 21, 期号: 8, 页码: 087105
Fang ZJ (Fang Zhi-Jie)
;
Zhu JZ (Zhu Ji-Zhen)
;
Zhou J (Zhou Jiang)
;
Mo M (Mo Man)
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2013/04/02
Characteristics of undoped and Sb-doped ZnO thin films prepared in different atmospheres by pulsed laser deposition
期刊论文
physica status solidi a-applications and materials science, 2011, 卷号: 208, 期号: 4, 页码: 843-850
Zhu BL
;
Zhu SJ
;
Zhao XZ
;
Su FH
;
Li GH
;
Wu XG
;
Wu J
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浏览/下载:96/5
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提交时间:2011/07/05
conductivity
doping
photoluminescence
pulsed laser deposition
ZnO
ZINC-OXIDE
ELECTRICAL-PROPERTIES
OPTICAL-PROPERTIES
OXYGEN-PRESSURE
PHOTOLUMINESCENCE
LUMINESCENCE
VIOLET
GROWTH
FABRICATION
DEPENDENCE
First principle study of the thermal conductance in graphene nanoribbon with vacancy and substitutional silicon defects
期刊论文
applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 11, 页码: article no.113114
Jiang JW
;
Wang BS
;
Wang JS
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浏览/下载:52/4
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提交时间:2011/07/05
The explanation of InN bandgap discrepancy based on experiments and first-principle calculations
期刊论文
physics letters a, 2011, 卷号: 375, 期号: 7, 页码: 1152-1155
作者:
Li JB
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浏览/下载:59/6
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提交时间:2011/07/05
First principle calculation
Indium nitride
Band gap
Defect
INITIO MOLECULAR-DYNAMICS
AUGMENTED-WAVE METHOD
INDIUM NITRIDE
GAP
PSEUDOPOTENTIALS
SEMICONDUCTORS
IMPURITIES
ABSORPTION
DEFECTS
ALLOYS
Band crossing in isovalent semiconductor alloys with large size mismatch: First-principles calculations of the electronic structure of Bi and N incorporated GaAs
期刊论文
physical review b, 2010, 卷号: 82, 期号: 19, 页码: art. no. 193204
Deng HX (Deng Hui-Xiong)
;
Li JB (Li Jingbo)
;
Li SS (Li Shu-Shen)
;
Peng HW (Peng Haowei)
;
Xia JB (Xia Jian-Bai)
;
Wang LW (Wang Lin-Wang)
;
Wei SH (Wei Su-Huai)
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2010/12/27
IMPURITIES
GAAS1-XNX
NITROGEN
GAINNAS
STATES
TRAPS
Donor-donor binding in In2O3: Engineering shallow donor levels
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 107, 期号: 8, 页码: art. no. 083704
Tang LM (Tang Li-Ming)
;
Wang LL (Wang Ling-Ling)
;
Wang D (Wang Dan)
;
Liu JZ (Liu Jian-Zhe)
;
Chen KQ (Chen Ke-Qiu)
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浏览/下载:67/0
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提交时间:2010/05/24
AUGMENTED-WAVE METHOD
ELECTRONIC-STRUCTURE
SEMICONDUCTORS
FILMS
ZNSE
ZNTE
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