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科研机构
半导体研究所 [8]
内容类型
期刊论文 [8]
发表日期
2008 [2]
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2002 [2]
2001 [1]
2000 [1]
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学科主题
半导体物理 [8]
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学科主题:半导体物理
内容类型:期刊论文
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Single-photon emission from a single InAs quantum dot
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 2, 页码: 501-504
Dou, XM
;
Sun, BQ
;
Huang, SS
;
Ni, HQ
;
Niu, ZC
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浏览/下载:39/2
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提交时间:2010/03/08
FLUORESCENCE
TEMPERATURE
Single-photon emission at liquid nitrogen temperature from a single InAs/GaAs quantum dot
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: 3231-3233
作者:
Chang XY
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浏览/下载:84/0
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提交时间:2010/03/08
FLUORESCENCE
Metamorphic growth of 1.25-1.29 mu m InGaAs quantum well lasers on GaAs by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2007, 卷号: 301, 期号: 0, 页码: 971-974
Tangring, I (Tangring, I.)
;
Wang, SM (Wang, S. M.)
;
Sadeghi, M (Sadeghi, M.)
;
Larsson, A (Larsson, A.)
;
Wang, XD (Wang, X. D.)
收藏
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浏览/下载:62/0
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提交时间:2010/03/29
metamorphic growth
Size evolution and optical properties of self-assembled InAs quantum dots on different matrix
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2003, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: 292-297
作者:
Xu B
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浏览/下载:57/0
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提交时间:2010/08/12
self-assembled
MBE
quantum dots
photoluminescence
1.3 MU-M
TEMPERATURE-DEPENDENCE
EXCITED-STATES
INXGA1-XAS
LASERS
INP
Lasing of CdSexS1-x quantum dots in a glass spherical microcavity
期刊论文
journal of physics-condensed matter, 2002, 卷号: 14, 期号: 25, 页码: 6395-6401
作者:
Jiang DS
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2010/08/12
LASER
PHOTOLUMINESCENCE
Selectively excited photoluminescence of GaAs1-xSbx/GaAs single quantum wells
期刊论文
applied physics letters, 2002, 卷号: 81, 期号: 20, 页码: 3795-3797
Luo XD
;
Hu CY
;
Xu ZY
;
Luo HL
;
Wang YQ
;
Wang JN
;
Ge WK
收藏
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
ROOM-TEMPERATURE
BAND ALIGNMENT
GAAS
DOTS
LASERS
OPERATION
OFFSETS
Unusual temperature-dependent optical properties of self-organized InAs/GaAs quantum dots at high excitation power
期刊论文
chinese physics letters, 2001, 卷号: 18, 期号: 7, 页码: 982-985
作者:
Xu B
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浏览/下载:99/12
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提交时间:2010/08/12
ENERGY RELAXATION
EMISSION
LASERS
Self-organized type-II In0.55Al0.45As/Al0.50Ga0.50As quantum dots realized on GaAs(311)A
期刊论文
applied physics letters, 2000, 卷号: 76, 期号: 25, 页码: 3741-3743
作者:
Xu B
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2010/08/12
VISIBLE PHOTOLUMINESCENCE
LINEWIDTH
INJECTION
EMISSION
WIRES
LASER
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