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科研机构
半导体研究所 [10]
内容类型
期刊论文 [10]
发表日期
2008 [1]
2007 [1]
2006 [3]
2002 [1]
2000 [2]
1999 [1]
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学科主题
半导体物理 [10]
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学科主题:半导体物理
内容类型:期刊论文
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80
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Photoluminescence properties of tensile-strained GaAsP/GaInP single quantum wells grown by metal organic chemical vapor deposition
期刊论文
japanese journal of applied physics, 2008, 卷号: 47, 期号: 9, 页码: 7026-7031 part 1
Zhong, L
;
Ma, XY
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浏览/下载:55/0
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提交时间:2010/03/08
tensile strain
GaAsP/GaInP
photoluminescence
quantum well
laser diodes
LP-MOCVD
Metamorphic growth of 1.25-1.29 mu m InGaAs quantum well lasers on GaAs by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2007, 卷号: 301, 期号: 0, 页码: 971-974
Tangring, I (Tangring, I.)
;
Wang, SM (Wang, S. M.)
;
Sadeghi, M (Sadeghi, M.)
;
Larsson, A (Larsson, A.)
;
Wang, XD (Wang, X. D.)
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浏览/下载:62/0
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提交时间:2010/03/29
metamorphic growth
Experimental study of a pulsed ytterbium-doped fibre laser with fast and slow saturable absorbers in a linear cavity
期刊论文
chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 7, 页码: 1790-1792
Gan Y (Gan Yu)
;
Xiang WH (Xiang Wang-Hua)
;
Zhou XF (Zhou Xiao-Fang)
;
Zhang GZ (Zhang Gui-Zhong)
;
Zhang B (Zhang Bing)
;
Wang YG (Wang Yong-Gang)
;
Ma XY (Ma Xiao-Yu)
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2010/04/11
MODE-LOCKING
RING LASER
LOW-TEMPERATURE
GENERATION
GAAS
Stochastic resonance in single-mode semiconductor lasers
期刊论文
physica a-statistical mechanics and its applications, 2006, 卷号: 368, 期号: 1, 页码: 31-37
Wang J
;
Bai YM
;
Cao L
;
Wu DJ
;
Ma XY
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浏览/下载:85/0
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提交时间:2010/04/11
stochastic resonance
carrier noise
photon noise
semiconductor lasers
linear approximation method
MODULATED BISTABLE SYSTEMS
RING LASER
NOISE
DRIVEN
GAIN
Stochastic resonance in quantum-well semiconductor lasers
期刊论文
chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 5, 页码: 1106-1109
Wang J
;
Ma XY
;
Bai YM
;
Cao L
;
Wu DJ
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浏览/下载:37/0
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提交时间:2010/04/11
SINGLE-MODE LASER
MODULATED NOISE
RING LASER
GAIN
Optical and electrical characterizations of ZnSe self-organized quantum dots grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
acta physica sinica, 2002, 卷号: 51, 期号: 2, 页码: 310-314
Lu LW
;
Wang ZG
;
Yang CL
;
Wang J
;
Ma ZH
;
Sou IK
;
Ge WK
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浏览/下载:93/10
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提交时间:2010/08/12
II-VI semiconductor
self-organized quantum dots
optical and electrical properties
TEMPERATURE-DEPENDENCE
WELL STRUCTURES
LASER-DIODES
PHOTOLUMINESCENCE
SPECTROSCOPY
EPILAYERS
SURFACE
STATES
Si1-xGex/Si resonant-cavity-enhanced photodetectors with a silicon-on-oxide reflector operating near 1.3 mu m
期刊论文
applied physics letters, 2000, 卷号: 77, 期号: 2, 页码: 157-159
Li C
;
Yang QQ
;
Wang HJ
;
Zhu J
;
Luo LP
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Li YK
;
Zhou JM
;
Lin CL
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浏览/下载:55/0
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提交时间:2010/08/12
HIGH-SPEED
PHOTODIODE
Novel coupled multi-active region high power semiconductor lasers cascaded via tunnel junction
期刊论文
acta physica sinica, 2000, 卷号: 49, 期号: 12, 页码: 2374-2377
Lian P
;
Yin T
;
Gao G
;
Zou DS
;
Chen CH
;
Li JJ
;
Shen GD
;
Ma XY
;
Chen LH
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2010/08/12
semiconductor lasers
high power
MOCVD
OPERATION
High-performance 980-nm quantum-well lasers using a hybrid material system of an Al-free InGaAs-InGaAsP active region and AlGaAs cladding layers grown by metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
ieee journal of quantum electronics, 1999, 卷号: 35, 期号: 10, 页码: 1535-1541
Yang GW
;
Hwu RJ
;
Xu ZT
;
Ma XY
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2010/08/12
quantum-well lasers
semiconductor diodes
semiconductor epitaxial layers
semiconductor lasers
semiconductor materials
NM DIODE-LASERS
WAVE-GUIDE
AMPLIFIER
FRONT-FACET POWER
Buried heterostructure InGaAsP/InP strain-compensated multiple quantum well laser with a native-oxidized InAlAs current blocking layer
期刊论文
applied physics letters, 1998, 卷号: 73, 期号: 26, 页码: 3803-3805
Wang ZJ
;
Chua SJ
;
Zhou F
;
Wang W
;
Wu RH
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2010/08/12
SURFACE-EMITTING LASERS
ULTRALOW THRESHOLD
OXIDE
INP
DIODES
OXIDATION
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