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科研机构
半导体研究所 [8]
内容类型
期刊论文 [8]
发表日期
2010 [1]
2009 [1]
2008 [1]
2007 [1]
2002 [1]
1998 [1]
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学科主题
半导体物理 [8]
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学科主题:半导体物理
内容类型:期刊论文
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Defects in gallium nitride nanowires: First principles calculations
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 4, 页码: art. no. 044305
Wang ZG (Wang Zhiguo)
;
Li JB (Li Jingbo)
;
Gao F (Gao Fei)
;
Weber WJ (Weber William J.)
收藏
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浏览/下载:105/1
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提交时间:2010/10/11
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
GAN NANOWIRES
NATIVE DEFECTS
COMPLEXES
EPITAXY
GROWTH
ARRAYS
Controlling electronic structures by irradiation in single-walled SiC nanotubes: a first-principles molecular dynamics study
期刊论文
nanotechnology, 2009, 卷号: 20, 期号: 7, 页码: art. no. 075708
作者:
Li JB
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浏览/下载:165/21
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提交时间:2010/03/08
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
SILICON-CARBIDE NANOTUBES
FORMATION ENERGIES
CARBON NANOTUBES
BORON-NITRIDE
NANOWIRES
COMPOSITES
DEFECTS
FUSION
Nitrogen defects and ferromagnetism in Cr-doped dilute magnetic semiconductor AlN from first principles
期刊论文
physical review b, 2008, 卷号: 78, 期号: 19, 页码: art. no. 195206
Shi LJ
;
Zhu LF
;
Zhao YH
;
Liu BG
收藏
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浏览/下载:217/56
  |  
提交时间:2010/03/08
ab initio calculations
aluminium compounds
annealing
band structure
chromium
Curie temperature
density functional theory
exchange interactions (electron)
ferromagnetic materials
III-V semiconductors
semimagnetic semiconductors
total energy
vacancies (crystal)
Atomic configurations of dislocation core and twin boundaries in 3C-SiC studied by high-resolution electron microscopy
期刊论文
physical review b, 2007, 卷号: 75, 期号: 18, 页码: art.no.184103
Tang CY
;
Li FH
;
Wang R
;
Zou J
;
Zheng XH
;
Liang JW
收藏
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浏览/下载:50/0
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提交时间:2010/03/29
IMAGE DECONVOLUTION
Microstructure of a-SiOx : H
期刊论文
science in china series a-mathematics physics astronomy, 2002, 卷号: 45, 期号: 10, 页码: 1320-1328
Wang YQ
;
Liao XB
;
Diao HW
;
Cheng WC
;
Li GH
;
Chen CY
;
Zhang SB
;
Xu YY
;
Chen WD
;
Kong GL
收藏
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2010/08/12
a-SiOx : H
microstructure
bonding configuration
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
AMORPHOUS-SILICON
ELECTRONIC-PROPERTIES
SIO2/SI INTERFACE
OXYGEN
FILMS
VIBRATIONS
ALLOYS
SYSTEM
Study of microstructure of high stability hydrogenated amorphous silicon films by Raman scattering and infrared absorption spectroscopy
期刊论文
applied physics letters, 1998, 卷号: 73, 期号: 3, 页码: 336-338
Sheng SR
;
Liao XB
;
Kong GL
;
Han HX
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浏览/下载:49/0
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提交时间:2010/08/12
A-SI-H
CRYSTALLINE SILICON
DEPOSITION
SPECTRA
QUALITY
INTERFACIAL REACTIONS IN THE CO/SI/GAAS AND SI/CO/GAAS SYSTEMS
期刊论文
journal of vacuum science & technology a-vacuum surfaces and films, 1992, 卷号: 10, 期号: 4, 页码: 1020-1028
HSU CC
;
JIN GL
;
HO J
;
CHEN WD
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2010/11/15
THIN-FILMS
GAAS
CO
SI
ELECTRONIC AND MAGNETIC-STRUCTURE OF THE TERNARY COMPOUND ND2FE17N
期刊论文
physical review b, 1992, 卷号: 46, 期号: 21, 页码: 13874-13880
GU ZQ
;
LAI WY
;
ZHONG XF
;
CHING WY
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/15
ORTHOGONALIZED LINEAR-COMBINATIONS
RARE-EARTH
INTERMETALLIC COMPOUNDS
ATOMIC ORBITALS
Y2FE14B
R2FE17
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