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半导体研究所 [46]
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期刊论文 [40]
会议论文 [6]
发表日期
2011 [1]
2009 [2]
2008 [4]
2007 [1]
2006 [6]
2005 [6]
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学科主题
半导体材料 [46]
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学科主题:半导体材料
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Effect of antimony irradiation on InAs/Sb:GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: article no.75010
作者:
Yang T
;
Yang XG
;
Wang KF
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浏览/下载:65/2
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提交时间:2011/07/05
HIGH-DENSITY
TEMPERATURE-DEPENDENCE
SELF-FORMATION
LAYERS
WELL
MBE
Structural and optical properties of ZnO films on SrTiO3 substrates by MOCVD
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 1, 页码: art. no. 015415
作者:
Jia CH
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浏览/下载:173/14
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提交时间:2010/03/08
PULSED-LASER DEPOSITION
THIN-FILMS
ZINC-OXIDE
PHOTOLUMINESCENCE
TEMPERATURE
SAPPHIRE
SURFACE
GROWTH
Improvement in crystal quality of ZnO film on Si substrate by using a homo-buffer layer
期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2009, 卷号: 12, 期号: 6, 页码: 233-237
作者:
Zhao J
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浏览/下载:46/4
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提交时间:2011/07/05
ZnO
Pulsed laser deposition
X-ray diffraction
Photoluminescence
Reflection high-energy electron diffraction
PULSED-LASER DEPOSITION
THIN-FILMS
PLD TECHNIQUE
GROWTH
SAPPHIRE
TEMPERATURE
Mn-including InAs quantum dots fabricated by Mn implantation
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2008, 卷号: 40, 期号: 9, 页码: 2869-2873
Hu, LJ
;
Chen, YH
;
Ye, XL
;
Jiao, YH
;
Shi, LW
;
Wang, ZG
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浏览/下载:64/0
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提交时间:2010/03/08
Mn-including
InAs quantum dots
PL
magnetic
The effects of substrate temperature on the structure and properties of ZnO films prepared by pulsed laser deposition
期刊论文
vacuum, 2008, 卷号: 82, 期号: 5, 页码: 495-500
Zhu, BL
;
Sun, XH
;
Zha, XZ
;
Su, FH
;
Li, GH
;
Wu, XG
;
Wu, J
;
Wu, R
;
Liu, J
收藏
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浏览/下载:46/1
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提交时间:2010/03/08
PLD
ZnO films
substrate temperature
crystal quality
grain size
optical properties
A simple route of morphology control and structural and optical properties of ZnO grown by metal-organic chemical vapour deposition
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 8, 页码: 3063-3066
Fan, HB
;
Yang, SY
;
Zhang, PF
;
Wei, HY
;
Liu, XL
;
Jiao, CM
;
Zhu, QS
;
Chen, YH
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:80/3
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提交时间:2010/03/08
SINGLE-CRYSTAL
PHASE EPITAXY
SAPPHIRE
NANORODS
FILMS
An evidence of defect gettering in GaN
期刊论文
physica b-condensed matter, 2008, 卷号: 403, 期号: 13-16, 页码: 2495-2499
Majid A
;
Ali A
;
Zhu JJ
;
Wang YT
;
Yang H
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浏览/下载:54/7
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提交时间:2010/03/08
GaN
Effect of substrate misorientation on the InAs/InAlAs/InP nanostructure morphology and lateral composition modulation in the InAlAs matrix
期刊论文
applied physics letters, 2007, 卷号: 90, 期号: 10, 页码: art.no.103118
作者:
Xu B
;
Ye XL
;
Jin P
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浏览/下载:75/0
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提交时间:2010/03/29
INAS QUANTUM DOTS
High-precision determination of lattice constants and structural characterization of InN thin films
期刊论文
journal of vacuum science & technology a, 2006, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 275-279
Wu MF
;
Zhou SQ
;
Vantomme A
;
Huang Y
;
Wang H
;
Yang H
收藏
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浏览/下载:108/0
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提交时间:2010/04/11
X-RAY-DIFFRACTION
BAND-GAP
EPITAXIAL LAYERS
INDIUM NITRIDE
HEXAGONAL INN
CUBIC INN
GROWTH
PARAMETERS
INGAN
PHASE
Structure and visible luminescence of ZnO nanoparticles
期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 156-159
Peng WQ (Peng W. Q.)
;
Qu SC (Qu S. C.)
;
Cong GW (Cong G. W.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2010/04/11
nanoparticles
semiconducting materials
photoluminescence
PHOTOLUMINESCENCE
NANOCRYSTALS
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