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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2011 [1]
2004 [1]
2002 [1]
学科主题
半导体材料 [3]
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学科主题:半导体材料
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Effect of high temperature AlGaN buffer thickness on GaN Epilayer grown on Si(111) substrates
期刊论文
journal of materials science-materials in electronics, 2011, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1028-1032
作者:
Pan X
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提交时间:2011/09/14
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
PHASE EPITAXY
ALN INTERLAYERS
FILMS
STRESS
LAYERS
DISLOCATIONS
REDUCTION
DENSITY
DIODES
Ordering growth of InAs quantum dots on ultra-thin InGaAs strained layer
期刊论文
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 265, 期号: 1-2, 页码: 60-64
Zhang, CL
;
Wang, ZG
;
Zhao, FA
;
Xu, B
;
Jin, P
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浏览/下载:212/52
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提交时间:2010/03/09
line defects
Investigation on the origin of crystallographic tilt in lateral epitaxial overgrown GaN using selective etching
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 240, 期号: 3-4, 页码: 368-372
作者:
Zhao DG
收藏
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浏览/下载:61/0
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提交时间:2010/08/12
X-ray diffraction
etching
metalorganic vapor-phase epitaxy
nitrides
semiconducting III-V materials
LIGHT-EMITTING-DIODES
VAPOR-PHASE EPITAXY
FILMS
DISLOCATIONS
DENSITY
GROWTH
LAYERS
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