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半导体研究所 [7]
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期刊论文 [7]
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2016 [1]
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2005 [1]
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学科主题
半导体材料 [7]
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学科主题:半导体材料
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Enhancing rectification of Nb:SrTiO3/ZnO heterojunctions by magnetic field
期刊论文
Vacuum, 2017, 卷号: 142, 页码: 66-71
作者:
Ming Han
;
Yong Ren
;
Jiachen Li
;
Yonghai Chen
;
Weifeng Zhang
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2018/05/23
Epitaxial growth of BaTiO3/ZnO heterojunctions and transition from rectification to bipolar resistive switching effect
期刊论文
Appl. Phys. Lett., 2017, 卷号: 111, 页码: 113506
作者:
Caihong Jia
;
Xiaoqian Yin
;
Guang Yang
;
Yonghui Wu
;
Jiachen Li
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2018/05/23
Enhanced rectification, transport property and photocurrent generation of multilayer ReSe2/MoS2p–n heterojunctions
期刊论文
Nano Research, 2016, 卷号: 9, 期号: 2, 页码: 507-516
Xiaoting Wang
;
Le Huang
;
Yuting Peng
;
Nengjie Huo
;
Kedi Wu
;
Congxin Xia
;
Zhongming Wei
;
Sefaattin Tongay
;
Jingbo Li
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2017/03/10
Ratchet effect induced by linearly polarized near- and mid-infrared radiation in InAs nanowires patterned quasi two-dimensional electron system
期刊论文
applied physics letters, 2011, 卷号: 99, 期号: 3, 页码: 32106
Jiang CY
;
Ma H
;
Yu JL
;
Liu Y
;
Chen YH
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2012/02/06
QUANTUM WIRES
OPTICAL-PROPERTIES
RECTIFICATION
FLUCTUATIONS
Homoepitaxial Growth of 4H-SiC and Ti/4H-SiC SBDs
期刊论文
人工晶体学报, 2005, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 1006-1010
作者:
NING Jin
;
LIU Xingfang
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/11/23
High Temperature Characteristics of 3C-SiC/Si Heterojunction Diodes Grown by LPCVD
期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: 1091-1096
Zhang Yongxing
;
Sun Guosheng
;
Wang Lei
;
Zhao Wanshun
;
Gao Xin
;
Zeng Yiping
;
Li Jinmin
;
Li Siyuan
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/23
Studies of 6H-SiC devices
期刊论文
current applied physics, 2002, 卷号: 2, 期号: 5, 页码: 393-399
Wang SR
;
Liu ZL
收藏
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浏览/下载:57/0
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提交时间:2010/08/12
SiC
Schottky
pn junction diodes
MOS capacitor
JUNCTION DIODES
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