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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effect of high temperature AlGaN buffer thickness on GaN Epilayer grown on Si(111) substrates 期刊论文 journal of materials science-materials in electronics, 2011, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1028-1032 作者:  Pan X 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2011/09/14 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  PHASE EPITAXY  ALN INTERLAYERS  FILMS  STRESS  LAYERS  DISLOCATIONS  REDUCTION  DENSITY  DIODES   非晶硅太阳电池光照J-V特性的AMPS模拟 期刊论文 物理学报, 2005, 卷号: 54, 期号: 5, 页码: 2302-2306 胡志华; 廖显伯; 刁宏伟; 夏朝凤; 许玲; 曾湘波; 郝会颖; 孙光临 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/11/23 AMPS modeling of light J-V characteristics of a-Si based solar cells 期刊论文 acta physica sinica, 2005, 卷号: 54, 期号: 5, 页码: 2302-2306 Hu ZH; Liao XB; Diao HW; Xia CF; Xu L; Zeng XB; Hao XB; Hao HY; Kong GL 收藏  |  浏览/下载：52/20  |  提交时间：2010/03/17 amorphous silicon   Influence of crystal perfection on the reverse leakage current of the SiGe Si p-n heterojunction diodes 期刊论文 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 201, 期号: 0, 页码: 551-555 作者:  Liu XF 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/08/12 reverse leakage current  crystalline quality  SiGe Se p-n heterojunction diodes  LAYERS   Influence of crystal perfection on the reverse leakage current of the SiGe Si p-n heterojunction diodes 会议论文 10th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-x), cannes, france, aug 31-sep 04, 1998 Liu XF; Liu JP; Li JP; Wang YT; Li LY; Sun DZ; Kong MY; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2010/11/15 LAYERS   GSMBE growth and characterization of InxGa1-xAs/InP strained-layer MQWs in a P-i-N configuration 期刊论文 journal of crystal growth, 1997, 卷号: 175, 期号: 0, 页码: 1254-1258 Wang XL; Sun DZ; Kong MY; Hou X; Zeng YP 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/17 quantum wells  molecular beam epitaxy  InGaAs/InP  optical properties  QUANTUM-WELL STRUCTURES  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ROOM-TEMPERATURE  MODULATION  EXCITONS  LASERS  SHIFT   A NEW RESULT IN TRANSIENT CURRENT EXPERIMENT ON A-SI-H P/I/N AND N/I/N DEVICES 期刊论文 journal of non-crystalline solids, 1991, 卷号: 137, 期号: 0, 页码: 459-462 ZHANG Q; LIAO XB; HSIA CY; KONG GL; ZHANG DL 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/15 AMORPHOUS-SILICON