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科研机构
半导体研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2011 [1]
学科主题
半导体材料 [1]
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Electrical transport properties of the Si-doped cubic boron nitride thin films prepared by in situ cosputtering
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 2, 页码: article no.23716
作者:
Yin ZG
;
Zhang XW
;
Tan HR
;
Fan YM
;
Zhang SG
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提交时间:2011/07/05
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