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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Study of molecular-beam epitaxy growth on patterned GaAs (1 0 0) substrates by masked indium ion implantation 期刊论文 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 318, 期号: 1, 页码: 572-575 作者:  Xu B;  Jin P;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：63/1  |  提交时间：2011/07/05 Atom force microscopy  Nanostructures  Molecular-beam epitaxy  Nanomaterials  Semiconducting gallium arsenide  QUANTUM-DOTS  ANODIC ALUMINA  ARRAYS  PLACEMENT  INAS   Optimization of inductively coupled plasma etching for low nanometer scale air-hole arrays in two-dimensional GaAs-based photonic crystals 期刊论文 journal of semiconductors, 2010, 卷号: 31, 期号: 1, 页码: 012003-1-012003-5 作者:  Ye Xiaoling;  Xu Bo;  Jin Peng;  Peng Yinsheng;  Ye Xiaoling 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2011/08/16 Study of GaN growth on ultra-thin Si membranes 期刊论文 solid-state electronics, 2008, 卷号: 52, 期号: 6, 页码: 986-989 Wang X; Wu AM; Chen J; Wang X; Wu YX; Zhu JJ; Yang H 收藏  |  浏览/下载：58/2  |  提交时间：2010/03/08 GaN   The fabrication and properties of InAs/GaAs columnal islands 期刊论文 acta physica sinica, 2004, 卷号: 53, 期号: 1, 页码: 301-305 Zhu TW; Bo X; Jun H; Zhao FA; Zhang CL; Xie EQ; Liu FQ; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：51/17  |  提交时间：2010/03/09 InAs/GaAs columnal islands   High Temperature Characteristics of 3C-SiC/Si Heterojunction Diodes Grown by LPCVD 期刊论文 半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: 1091-1096 Zhang Yongxing; Sun Guosheng; Wang Lei; Zhao Wanshun; Gao Xin; Zeng Yiping; Li Jinmin; Li Siyuan 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/23 Self-limiting MBE growth and characterization of three-dimensionally confined nanostructures on patterned GaAs(311)A substrates 期刊论文 journal of electronic materials, 1999, 卷号: 28, 期号: 1, 页码: 1-5 Niu ZC; Notzel R; Jahn U; Schonherr HP; Fricke J; Ploog KH 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2010/08/12 high-index substrates  molecular beam epitaxy (MBE)  patterned growth  three-dimensionally confined nanostructures  SIDEWALL QUANTUM WIRES  GAAS  PHOTOLUMINESCENCE  DOTS  MOLECULAR-BEAM EPITAXY   Substrate surface atomic structure influence on the growth of InAlAs quantum dots 期刊论文 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 200, 期号: 3-4, 页码: 608-612 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/08/12 photoluminescence  atomic-terminated surface  quantum dots  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  VISIBLE PHOTOLUMINESCENCE  MONOLAYER COVERAGE  INAS  GAAS  GE  INXGA1-XAS  ENSEMBLES  GAAS(100)  3-DIMENSIONAL ISLAND FORMATION