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Photoexcited charge current for the presence of pure spin current 期刊论文
applied physics letters, 2010, 卷号: 96, 期号: 26, 页码: art. no. 262108
Liu Y (Liu Yu); Chen YH (Chen Yonghai); Wang ZG (Wang Zhanguo)
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Measurement of polar C-plane and nonpolar A-plane InN/ZnO heterojunctions band offsets by x-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 16, 页码: art. no. 163301
作者:  Jin P;  Wei HY;  Song HP
收藏  |  浏览/下载：310/47  |  提交时间：2010/03/08
Gallium antisite defect and residual acceptors in undoped GaSb 期刊论文
physics letters a, 2004, 卷号: 332, 期号: 3-4, 页码: 286-290
Hu WG; Wang Z; Su BF; Dai YQ; Wang SJ; Zhao YW
收藏  |  浏览/下载：177/66  |  提交时间：2010/03/09
GaSb  
Electrical Transport Properties of Annealed Undoped InP 期刊论文
半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 1, 页码: 1-5
Zhao Youwen; Luo Yilin; Sun Niefeng; S Fung; Beling C D; Sun Tongnian; Lin Lanyin
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/23
1.35 mu m photoluminescence from In0.5Ga0.5As/GaAs islands grown by molecular beam epitaxy via cycled (InAs)(1)/(GaAs)(1) monolayer deposition 期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 1-2, 页码: 16-22
Wang XD; Niu ZC; Feng SL; Miao ZH
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OXYGEN IN INXGA1-XASYP1-Y GROWN ON GAAS 期刊论文
physica status solidi b-basic research, 1992, 卷号: 172, 期号: 2, 页码: 647-653
ZHU QS; HIRAMATSU K; SAWAKI N; AKASAKI I
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