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科研机构
半导体研究所 [14]
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期刊论文 [13]
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2007 [2]
2005 [1]
2004 [2]
2002 [1]
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学科主题
半导体材料 [14]
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学科主题:半导体材料
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Luminescence spectroscopy of ion implanted AlN bulk single crystal
期刊论文
半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 8, 页码: 31-33
作者:
Ke Jianhong
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2010/11/23
Synthesis and characterization of well-aligned Zn1-xMgxO nanorods and film by metal organic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 2, 页码: 278-281
作者:
Song HP
;
Jiao CM
;
Wei HY
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浏览/下载:199/82
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提交时间:2010/03/08
Nanostructures
Metalorganic chemical vapor deposition
Zinc compounds
Semiconducting II-VI materials
Investigation of optical quenching of photoconductivity in high-resistivity GaN epilayer
期刊论文
journal of crystal growth, 2007, 卷号: 298 sp.iss.si, 期号: 0, 页码: 800-803
Fang CB (Fang Cebao)
;
Wang XL (Wang Xiaoliang)
;
Xiao HL (Xiao Hongling)
;
Hu GX (Hu Guoxin)
;
Wang CM (Wang Cuimei)
;
Wang XY (Wang Xiaoyan)
;
Li JP (Li Jianping)
;
Wang JX (Wang Junxi)
;
Li CJ (Li Chengji)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
;
Li JM (Li Jinmin)
;
Wang ZG (Wang Zanguo)
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2010/03/29
deep defect
Design, fabrication, and characterization of an ultracompact low-loss photonic crystal corner mirror
期刊论文
ieee journal of quantum electronics, 2007, 卷号: 43, 期号: 9-10, 页码: 876-883
Yu HJ (Yu Hejun)
;
Yu JZ (Yu Jinzhong)
;
Yu Y (Yu Yude)
;
Fan ZC (Fan Zhong-Chao)
;
Chen SW (Chen Shaowu)
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浏览/下载:100/0
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提交时间:2010/03/29
corner mirror
Optical properties of phase-separated GaN1-xPx alloys grown by light-radiation heating metal-organic chemical vapour deposition
期刊论文
chinese physics letters, 2005, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 2081-2083
Lu LW
;
Chen TJ
;
Shen B
;
Wang JN
;
Ge WK
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浏览/下载:65/32
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提交时间:2010/03/17
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
Graded tensile-strained bulk InGaAs/InP superluminescent diode with very wide emission spectrum
期刊论文
chinese optics letters, 2004, 卷号: 2, 期号: 6, 页码: 359-361
作者:
Wang Wei
;
Wang Wei
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/11/23
High-performance quantum-dot superluminescent diodes
期刊论文
ieee photonics technology letters, 2004, 卷号: 16, 期号: 1, 页码: 27-29
作者:
Xu B
;
Jin P
收藏
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浏览/下载:68/29
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提交时间:2010/03/09
crystal growth
A novel line-order of InAs quantum dots on GaAs
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 241, 期号: 1-2, 页码: 69-73
作者:
Li CM
;
Xu B
;
Jin P
收藏
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2010/08/12
low dimensional structures
strain
molecular beam epitaxy
quantum dots
semiconducting III-V materials
SHAPE TRANSITION
PHOTOLUMINESCENCE
FABRICATION
DEPOSITION
WIRES
SITU
Optical transitions and type-II band lineup of MBE-grown GaNAs/GaAs single-quantum-well structures
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 501-505
作者:
Jiang DS
收藏
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浏览/下载:147/24
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提交时间:2010/08/12
molecular beam epitaxy
quantum wells
semiconducting IIIV materials
LUMINESCENCE
GAASN
Photoluminescence and optical quenching of photoconductivity studies on undoped GaN grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 217, 期号: 3, 页码: 228-232
Xu HZ
;
Wang ZG
;
Harrison I
;
Bell A
;
Ansell BJ
;
Winser AJ
;
Cheng TS
;
Foxon CT
;
Kawabe M
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/08/12
GaN
photoluminescence
optical quenching of photoconductivity
native defect level
molecular beam epitaxy
N-TYPE GAN
DEEP-LEVEL DEFECTS
YELLOW LUMINESCENCE
MAGNETIC-RESONANCE
THIN-FILMS
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