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科研机构
半导体研究所 [5]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
2008 [1]
2004 [1]
2003 [1]
2002 [2]
学科主题
半导体材料 [5]
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学科主题:半导体材料
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Development of high-k gate dielectric materials
期刊论文
journal of inorganic materials, 2008, 卷号: 23, 期号: 5, 页码: 865-871
Wu DQ
;
Zhao HS
;
Yao JC
;
Zhang DY
;
Chang AM
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浏览/下载:42/0
  |  
提交时间:2010/03/08
high-K gate dielectrics
High Temperature Characteristics of 3C-SiC/Si Heterojunction Diodes Grown by LPCVD
期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: 1091-1096
Zhang Yongxing
;
Sun Guosheng
;
Wang Lei
;
Zhao Wanshun
;
Gao Xin
;
Zeng Yiping
;
Li Jinmin
;
Li Siyuan
收藏
  |  
浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2010/11/23
Heteroepitaxial Growth and Heterojunction Characteristics of Voids-Free n-3C-SiC on p-Si(100)
期刊论文
半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 6, 页码: 567-573
Sun Guosheng
;
Sun Yanling
;
Wang Lei
;
Zhao Wanshun
;
Luo Muchang
;
Zhang Yongxing
;
Zeng Yiping
;
Li Jinmin
;
Lin Lanying
收藏
  |  
浏览/下载:21/0
  |  
提交时间:2010/11/23
Studies of 6H-SiC devices
期刊论文
current applied physics, 2002, 卷号: 2, 期号: 5, 页码: 393-399
Wang SR
;
Liu ZL
收藏
  |  
浏览/下载:57/0
  |  
提交时间:2010/08/12
SiC
Schottky
pn junction diodes
MOS capacitor
JUNCTION DIODES
Electrical Transport Properties of Annealed Undoped InP
期刊论文
半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 1, 页码: 1-5
Zhao Youwen
;
Luo Yilin
;
Sun Niefeng
;
S Fung
;
Beling C D
;
Sun Tongnian
;
Lin Lanyin
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/23
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