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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Growth and characterization of semi-insulating GaN films grown by MOCVD 期刊论文 journal of rare earths, 2006, 卷号: 24, 期号: sp.iss.si, 页码: 14-18 Fang CB; Wang XL; Hu GX; Wang JX; Wang CM; Li JM 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/04/11 MOCVD  GaN  resistivity  TSC  N-TYPE GAN  DOPED GAN  SPECTROSCOPY  CARBON  FE   Electron irradiation-induced defects in InP pre-annealed at high temperature 期刊论文 materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 380-383 Zhao YW (Zhao Y. W.); Dong ZY (Dong Z. Y.); Deng AH (Deng A. H.) 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/04/11 indium phosphide  defect  irradiation  THERMALLY STIMULATED CURRENT  UNDOPED SEMIINSULATING INP  DEEP-LEVEL DEFECTS  FRENKEL PAIRS  FE  SPECTROSCOPY  PHOSPHIDE  AMBIENT  TRAPS   FexSi grown with mass-analyzed low-energy dual ion beam deposition 期刊论文 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 263, 期号: 1-4, 页码: 143-147 Liu LF; Chen NF; Zhang FQ; Chen CL; Li YL; Yang SY; Liu Z 收藏  |  浏览/下载：80/34  |  提交时间：2010/03/09 Auger electron spectroscopy   Effects of the crystal structure on electrical and optical properties of pyrite FeS2 films prepared by thermally sulfurizing iron films 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 253, 期号: 1-4, 页码: 230-238 Wan DY; Wang YT; Wang BY; Ma CX; Sun H; Wei L 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/08/12 crystal structure  sulfidation of iron films  iron pyrite films  semiconducting materials  solar cells  THIN-FILMS  ELECTRODEPOSITION  ATMOSPHERE  PRESSURE   Influence of semi-insulating InP substrates on InAlAs epilayers grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 364-369 Dong HW; Zhao YW; Zeng YP; Jiao JH; Li JM; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/08/12 diffusion  interfaces  substrates  molecular beam epitaxy  phosphides  semiconducting indium phosphide  UNDOPED SEMIINSULATING INP  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  PHOSPHIDE VAPOR  FE  INTERFACE  PHOTOLUMINESCENCE  WAFER  UNIFORMITY  DIFFUSION  PRESSURE   Microdefects and electrical uniformity of InP annealed in phosphorus and iron phosphide ambiances 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 259, 期号: 1-2, 页码: 1-7 Dong ZY; Zhao YW; Zeng YP; Duan ML; Sun WR; Jiao JH; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：351/16  |  提交时间：2010/08/12 annealing  defects  etching  semiconducting indium phosphide  FE-DOPED INP  SEMIINSULATING INP  INDIUM-PHOSPHIDE  DEFECTS  DIFFUSION  CRYSTALS  WAFERS   Iron related emission spectra in InP 会议论文 5th international conference on solid-state and integrated circuit technology, beijing, peoples r china, oct 21-23, 1998 Han YJ; Liu XL; Jiao JH; Lin LY; Chang Y 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/10/29 ABSORPTION-SPECTROSCOPY  FE   Formation of Fe-N films containing Fe6N2 phase by ion beam assisted deposition 期刊论文 thin solid films, 1996, 卷号: 274, 期号: 0, 页码: 63-65 Jiang H; Yao Z; Huang D; Qin F; Liu Z; Tao K; Li H 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/11/17 ion implantation  magnesium  nitrides  plasma processing and deposition  NITROGEN-IMPLANTATION  IRON FILMS  FE16N2