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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effect of antimony irradiation on InAs/Sb:GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: article no.75010 作者:  Yang T;  Yang XG;  Wang KF 收藏  |  浏览/下载：65/2  |  提交时间：2011/07/05 HIGH-DENSITY  TEMPERATURE-DEPENDENCE  SELF-FORMATION  LAYERS  WELL  MBE   MBE InAs quantum dots grown on metamorphic InGaAs for long wavelength emitting 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2006, 卷号: 35, 期号: 1, 页码: 194-198 Jiao YH (Jiao Y. H.); Wu J (Wu J.); Xu B (Xu B.); Jin P (Jin P.); Hu LJ (Hu L. J.); Liang LY (Liang L. Y.); Wang ZG (Wang Z. G.) 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/04/11 metamorphic  long wavelength  quantum dots  molecular beam epitaxy  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  1.3 MU-M  GAAS  EMISSION  RANGE  ISLANDS  ARRAYS  LASERS   Electrical properties and electroluminescence of 4H-SiC p-n junction diodes 期刊论文 journal of rare earths, 2004, 卷号: 22 sp.iss.si, 期号: 0, 页码: 275-278 Sun, GS; Zhang, YX; Gao, X; Wang, L; Zhao, WS; Zeng, YP; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：87/0  |  提交时间：2010/03/17 4H-SiC   Growth and characterization of GaInNAs/GaAs by plasma-assisted molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 516-520 Pan Z; Li LH; Zhang W; Wang XU; Lin YW; Wu RH 收藏  |  浏览/下载：82/10  |  提交时间：2010/08/12 adsorption  characterization  radiation  molecular beam epitaxy  nitrides  SURFACE-EMITTING LASER  QUANTUM-WELLS  OPERATION  RANGE   Uniformity enhancement of the self-organized InAs quantum dots 期刊论文 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 197, 期号: 1-2, 页码: 372-375 Zhu HJ; Wang ZM; Wang H; Cui LQ; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  THRESHOLD  GROWTH  LASER   Kinetic study of MOCVD III-V quaternary antimonides 期刊论文 rare metals, 1999, 卷号: 18, 期号: 1, 页码: 16-20 Peng RW; Wei GY; Wu W; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/08/12 kinetic study  MOCVD  III-V  quaternary antimonide  photodetector  EPITAXIAL-GROWTH   Comparative study of the structural properties of nanocrystalline Ge : H plasma deposited onto the cathode and the anode using high hydrogen dilutions 期刊论文 thin solid films, 1999, 卷号: 346, 期号: 1-2, 页码: 91-95 Poulsen PR; Wang MX; Xu J; Li W; Chen KJ; Wang GH; Feng D 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2010/08/12 chemical vapour deposition  germanium  nanostructures  structural properties  AMORPHOUS-SILICON  GERMANIUM  CRYSTALLINE  DISCHARGE  CELL  POLYCRYSTALLINE SILICON FILMS