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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Photoluminescence of AlGaAs/InGaAs/GaAs pseudomorphic HEMTs with different thickness of spacer layer 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 231, 期号: 4, 页码: 520-524 Cao X; Zeng YP; Kong MY; Pan LA; Wang BQ; Zhu ZP; Wang XG; Chang Y; Chu JH 收藏  |  浏览/下载：135/8  |  提交时间：2010/08/12 molecular beam epitaxy  semiconducting III-V materials  high electron mobility transistors  ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR  CARRIER DENSITY  QUANTUM-WELLS  BAND-GAP   Structural and infrared absorption properties of self-organized InGaAs GaAs quantum dots multilayers 期刊论文 journal of electronic materials, 1999, 卷号: 28, 期号: 5, 页码: 503-505 Zhuang QD; Li JM; Zeng YP; Pan L; Chen YH; Kong MY; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/08/12 InGaAs GaAs quantum dots  infrared absorption  self-organization  ISLANDS  TRANSITIONS  X-RAY-DIFFRACTION   Structural and infrared absorption properties of self-organized InGaAs GaAs quantum dots multilayers 会议论文 40th electronic materials conference (emc-40), charlottesville, virginia, jun 24-26, 1998 Zhuang QD; Li JM; Zeng YP; Pan L; Chen YH; Kong MY; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/15 InGaAs GaAs quantum dots  infrared absorption  self-organization  X-RAY-DIFFRACTION  ISLANDS  TRANSITIONS